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选择题
在晶体的生长过程中，晶体中初始的掺杂浓度为kC，假设k1，
0 0 0
掺杂浓度将会持续〔 〕。〔其中k为平衡分凝系数〕
0
A增加 B不变
C削减 D都有可能
实际的晶体〔如硅晶片〕与抱负的晶体有显著的差异，如下图的点缺陷为〔 〕。
A替位杂质 B填隙杂质
C空位 D Frenkel
实际的晶体〔如硅晶片〕与抱负的晶体有显著的差异，晶体的缺陷有四种类型，其中孪晶〔twins〕和晶粒间界属于〔 〕。
A
点缺陷
B
线缺陷
C
面缺陷
D
体缺陷
MOS器件也会受到氧化层中的电荷和位于二氧化硅—硅界面处的势阱的影响。这些势阱和电荷的根本类别可以分为界面势阱
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