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电子科技大学成都学院
实验报告册
课程名称：器件仿真
姓名：王政霖
学号：2940710115
院系：微电子技术系
专业：集成电路设计与系统
教师：袁艺丹
年月日
实验一：NMOS器件仿真
实验目的：
1.了解MEDICI的功能
2.基本掌握MEDICI的使用方法
3.掌握NMOS的结构、并获得NMOS的器件结构图，内部载流子浓度分布，电流密度分布，电势分布，电场分布
二、实验原理和内容：
1.原理
MEDICI通过联解电子和空穴的能量平衡和其他的器件方程，可以对深亚微米的器件进行模拟。
内容
根据杂质分布加密网格
根据电势分布加密网格
阈值电压
二次击穿
表面电荷的影响
网格（GRID）
杂志分布的读入
物理模型
其他特性
Attachlumpedresistive，capacitive，andinductiveelementstocontacts
可以描述分布式接触电阻
可以在模拟中描述电压和电流的边界条件
I-V曲线自动跟踪
为了计算和频率相关的内容，电导，admittance和s参数，可以任何虚拟的频率下进行交流小信号分析
实验步骤：
1.写出实验程序
PLOT.2DGRIDTITLE=Example1-DopingRegridFILLSCALE
COMMENTSpecifycontactparameters
CONTACTNAME=GateN.POLY
COMMENTSpecifyphysicalmodelstouse
MODELSCONMOBFLDMOBSRFMOB2
COMMENTSymbolicfactorization,solve,regridonpotential
SYMBCARRIERS=0
METHODICCGDAMPED
SOLVE
REGRIDPOTENIGNORE=OXIDERATIO=.2MAX=1SMOOTH=1
+OUT.FILE=mesh
SYMBCARRIERS=0
SOLVEOUT.FILE=full
PLOT.2DGRIDTITLE=Example1-PotentialRegridFILLSCALE
COMMENTImpurityprofileplots
PLOT.1DDOPINGX.START=.25X.END=.25Y.START=0Y.END=2
+Y.LOGPOINTSBOT=1E15TOP=1E21COLOR=2
+TITLE=Example1-SourceImpurityProfile
PLOT.1DDOPINGX.START=1.5X.END=1.5Y.START=0Y.END=2
+Y.LOGPOINTSBOT=1E15TOP=1E17COLOR=2
+TITLE=Example1-GateImpurityProfile
PLOT.2DBOUNDREGIONTITLE=Example1-ImpurityContoursFILLSCALE
CONTOURDOPINGLOGMIN=16MAX=20DEL=.5COLOR=2
CONTOURDOPINGLOGMIN=-16MAX=-15DEL=.5COLOR=1LINE=2
COMMENTSolveusingtherefinedgrid,savesolutionforlateruse
SYMBCARRIERS=0
SOLVE
COMMENTDoaPoissonsolveonlytobiasthegate
SYMBCARRIERS=0
METHODICCGDAMPED
SOLVEV(Drain)=1.0
COMMENTUseNewtonsmethodandsolveforelectrons
SYMBNEWTONC
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