第6章 常用半导体元件及其特性.ppt

机械工业出版社同名教材配套电子教案张志良主编第6章常用半导体元件及其特性电工与电子技术基础内容浅显、容易理解习题丰富、配有解答更适用于当前高职教学第6章目录6.1普通二极管6.1.1PN结6.1.2二极管6.1.3二极管的检测与选用6.2特殊二极管6.2.1稳压二极管6.2.2发光二极管6.2.3光敏二极管6.3双极型晶体管6.3.1晶体管慨述6.3.2晶体管的特性曲线6.3.3晶体管的主要参数6.3.4晶体管的检测和选用6.4场效应管6.5习题6.5.1选择题6.5.2分析计算题(2)N型半导体4价元素掺入微量5价元素后形成N型半导体。自由电子数空穴数。4价元素掺入微量3价元素后形成P型半导体。空穴数自由电子数。(3)P型半导体⒈P型半导体和N型半导体⑴本征半导体。纯净的半导体材料称为本征半导体。6.1.1PN结第6章常用半导体元件及其特性6.1普通二极管⒉PN结及其单向导电性⑴加正向电压——导通。⑵加反向电压——截止。EP区N区耗尽层内电场外电场U-+RIREP区N区耗尽层内电场外电场U+-IRa)b)图6-1外加电压时的PN结a)正偏b)反偏6.1.2二极管1.二极管的伏安特性⑴正向特性①死区段②导通段⑵反向特性①饱和段②击穿段6-3⒉硅二极管与锗二极管伏安特性的区别①硅二极管导通正向压降比锗二极管大：Uon(硅)≈0.6～0.7V；Uon(锗)≈0.2～0.3V。②硅二极管的反向饱和电流IS比锗二极管小得多。③一般，硅二极管的反向击穿电压UBR比锗二极管大。①温度每升高1℃，Uon约减小2~2.5mV。②温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。⒊温度对二极管伏安特性的影响6.2.1稳压二极管⒈伏安特性⒉稳压工作条件①电压极性反偏；②有合适的工作电流。6.2特殊二极管图6-96.3双极型晶体管6.3.1晶体管概述⒈基本结构和符号2.电流分配关系:IE=IC+IB图6-12图6-13IC=βIB+（1+β）ICBO≈βIB6.3.2共发射极特性曲线⑴放大区条件：发射结正偏，集电结反偏。特点：iC＝βiB，iC与iB成正比关系。⑵截止区条件：发射结反偏，集电结反偏。特点：iB＝0，iC＝ICEO≈0⑶饱和区条件：发射结正偏，集电结正偏。特点：iC与iB不成比例。即iB增大，iC很少增大或不再增大，达到饱和，失去放大作用。⑷击穿区击穿区不是三极管的工作区域。⒋晶体管共射电路工作状态图6-176.4场效应管⑴场效应晶体管属于单极型晶体管。只有一种载流子（多数载流子）参与导电；双极型晶体管有两种载流子（多子和少子）参与导电。⑵场效应晶体管的输入电阻大大高于晶体管。MOS场效应晶体管输入电阻可高达1015Ω。⑶场效应晶体管是电压控制元件。用栅源电压uGS控制输出电流iD。⑷场效应晶体管热稳定性比晶体管好。⑸场效应晶体管便于大规模集成。⑹MOS场效应晶体管易击穿。在保存、测试和焊接时，栅极不能是悬空。