制绒和丝网印刷.docx

硅片的绒面处理和丝网印刷电极

一、硅片的绒面处理清洗

通常，由单晶棒所切割的硅片表面可能污染的杂质大致可归纳为三类：1、油脂、松香、蜡等有机物质。2、金属、金属离子及各种无机化合物。3、尘埃以及其它可溶性物质。通过一些化学清洗剂可以达到去污的目的。如有机溶剂、硫酸、酸性和碱性过氧化氢溶液等。

1、有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。

2、金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：a.一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。b.另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如电镀）到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。a.使用强氧化剂使电镀附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。b.用无害的小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。c.用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。

3、颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥0.4

μm颗粒，利用兆声波可去除≥0.2μm颗粒。

硅片清洗（微电子）

去损伤层

硅片经过初步清洗去污后，要进行表面腐蚀，这是由于机械切片后，在硅片表面留下的平均为30～50?m厚的损伤层，腐蚀液有酸性和碱性两类。

酸性腐蚀法

硝酸和氢氟酸的混合液可以起到很好的腐蚀作用，其溶液配比为浓硝酸：氢氟酸=10：

1到2：1。硝酸的作用是使单质硅氧化为二氧化硅，其反应为

3Si+4HNO=3SiO+2HO+4NO?

3 2 2

SiO ?

SiO ?6HF?H?SiF??2HO

2

2

6

2

生成的络合物六氟硅酸溶于水，通过调整硝酸和氢氟酸的比例，溶液的温度可控制腐蚀速度，如在腐蚀液中加入醋酸作缓冲剂，可使硅片表面光亮。一般酸性腐蚀液的配比为

硝酸：氢氟酸：醋酸=5：3：3或5：1：1碱性腐蚀法（20%）

硅可与氢氧化钠、氢氧化钾等碱的溶液起作用，生成硅酸盐并放出氢气，化学反应

为：Si+2NaOH+HO=NaSiO+2H?

2 2 3 2

出于经济上的考虑，通常用较廉价的NaOH溶液，图1.1为100?C下不同浓度的NaOH

溶液对（100）晶向硅片的腐蚀速度。

图1.1硅片在不同浓度NaOH溶液中的腐蚀速率

碱腐蚀的硅片表面虽然没有酸腐蚀光亮平整，但制成的电池性能完全相同，目前，国内外在硅太阳电池生产中的应用表明，碱腐蚀液由于成本较低，对环境污染较小，是较理想的硅表面腐蚀液。

硅表面绒面的制备

由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，其反射率很低，故绒面电池也称为黑电池或无反射电池。

各向异性腐蚀即腐蚀速度随单晶的不同结晶方向而变化，硅片的各向异性腐蚀最终导致在表面产生许多密布的表面为（111）面的四面方锥体，由于腐蚀过程的随机性，方锥体的大小不等，以控制在3～6?m为宜。

硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，如氢氧化钠，氢氧化钾，氢氧化锂，联氨和乙二胺等，商品化电池的生产中，通常使用廉价的氢氧化钠稀溶液（浓度为1～2%）来制备绒面硅，腐蚀温度为80?C左右，为了获得均匀的绒面，还应在溶液中添加醇类（如无水乙醇或异丙醇等）作为络合剂，加快硅的腐蚀。

制绒过程中的影响因素：

碱液浓度、异丙醇浓度；溶液温度、制绒时间长短；

槽体密封程度、IPA挥发程度；制绒槽内硅酸钠的累积量。

二、丝网印刷制作电极制作电极的方法

真空蒸镀和化学镀镍制作电极的方法是一种传统的制作方法，但存在工艺成本较高，耗能量大，批量小，不适宜于自动化生产，为了降低生产成本和提高产量，人们将厚膜集成电路的丝网漏印工艺引入太阳电池的生产中。目前，该工艺已走向成熟，使线条的宽度可降到50?m，高度达到10～20?m。

上电极的设计的一个重要方向是上电极金属栅线的设计。当单体电池的尺寸增加时，这方面就变得愈加重要。对于普通的电极设计，设计原则是使电池的输出最大，即电池的串联电阻尽可能小和电池的光照作用面积尽可能大。

对于下电极的要求是尽可能布满背面，对于丝网印刷，覆盖面积将影响到填充因子。丝网印刷原理

丝网印刷由五大要素构成，即丝网、刮刀、浆料、工作台以及基片。

丝网印刷基本原理是：利用丝网图形部分网孔透浆料，非图文部分网孔不透浆料的基本原理进行印刷。印刷时在丝网一端倒入浆料，用刮刀在丝网的浆料部位施加一定压力，同时朝丝网另一端移动。油墨在移动中被刮板从图形部分的网孔中挤压到基片上。由于浆料的黏性作用而使印迹固着在一定范围之内，印刷过程中刮板始终与丝网印版和承印物呈线接触，接触线随刮刀移动而移动，由