金属镶嵌用的堆栈结构、其形成方法及金属镶嵌方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1885504A

(43)申请公布日2006.12.27

(21)申请号CN200510081331.3

(22)申请日2005.06.24

(71)申请人联华电子股份有限公司

地址台湾省新竹科学工业园区

(72)发明人林经祥刘志建

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

代理人陶凤波

(51)Int.CI

H01L21/32

H01L21/768

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

金属镶嵌用的堆栈结构、其形成方

法及金属镶嵌方法

(57)摘要

一种金属镶嵌用的堆栈结构的形成

方法，此方法在基底上形成一层掺杂的介

电层，再对此介电层进行一处理步骤，使

其上表层的掺杂浓度低于上表层以外之处

的掺杂浓度，之后，再于介电层上形成一

金属硬掩模层。由于介电层的上表层的掺

杂浓度低于上表层以外之处的掺杂浓度，

因此可以减少其掺杂物和相邻的金属硬掩

模层之间的反应。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种金属镶嵌用的堆栈结构的形成方法，包括：

在一基底上形成一介电层，该介电层中具有掺杂；

对该介电层进行一处理步骤，以使该介电层的一上表层的掺杂浓度低于该上表层以

外之处的掺杂浓度；以及

在该介电层上形成一金属硬掩模层。

2.如权利要求1所述的金属镶嵌用的堆栈结构的形成方法，其中该金属硬掩模层的

材料选自于Ti、TiN、Ti/TiN、Ta、TaN、Ta/TaN、W、WN、W/WN所组成的族

群至少其中之一。

3.如权利要求2所述的金属镶嵌用的堆栈结构的形成方法，其中该介电层包括介电

常数在4以下的低介电常数介电层。

4.如权利要求3所述的金属镶嵌用的堆栈结构的形成方法，其中该低介电常数介电

层的材料包括掺氟玻璃。

5.如权利要求4所述的金属镶嵌用的堆栈结构的形成方法，其中该处理步骤使用含

氧的等离子体，其气体源选自于Nsub2/subO、Osub2/sub、

Osub3/sub、COsub2/sub所组成的族群中至少一种。

6.如权利要求5所述的金属镶嵌用的堆栈结构的形成方法，其中该处理步骤所通入

的气体还包括氦气(He)。

7.如权利要求3所述的金属镶嵌用的堆栈结构的形成方法，其中该低介电常数介电

层的材料包括掺碳玻璃。

8.如权利要求7所述的金属镶嵌用的堆栈结构的形成方法，其中该处理步骤所使用

的气体源选自于He、Ar、COsub2/sub所组成的族群中至少一种。

9.如权利要求1所述的金属镶嵌用的堆栈结构的形成方法，其中该介电层的该上表

层的厚度为3-500埃。

10.如权利要求1所述的金属镶嵌用的堆栈结构的形成方法，还包括于该金属硬掩

模层上形成一绝缘硬掩模层。

11.一种金属镶嵌方法，包括：

在一基底上形成一介电层，该介电层中具有掺杂；

对该介电层进行一处理步骤，以使该介电层的一上表层的掺杂浓度低于该上表层以

外之处的掺杂浓度；

在该介电层的表面上形成一金属硬掩模层；

在该金属硬掩模层中形成一沟槽图案；

在该基底上形成一光致抗蚀剂层，其具有一介层窗开口图案；

以该光致抗蚀剂层为蚀刻掩模去除部分该介电层，以使该介层窗开口图案转移至该

介电层，而形成一介层窗开口；

去除该光致抗蚀剂层；

以该金属硬掩模层为蚀刻掩模去除部分该介电层，以使该沟槽图案转移至该介电层，

而于该介电层中形成一沟槽；

于该沟槽与该介层窗开口中形成一金属层；以及

移除该金属硬掩模层。

12.如权利要求11所述的金属镶嵌方法，其中该金属硬掩模层的材料选自于Ti、

TiN、Ti/TiN、Ta、TaN、Ta/TaN、W、WN、W/WN所组成的族群至少其中之一。

13.如权利要求12所述的金属镶嵌工艺，其中该介