（正式版）-B-T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类.docxVIP

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CCSL90

中华人民共和国国家标准GB/T43493.1—2023/IEC63068-1:2019

半导体器件

功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的

无损检测识别判据

第1部分：缺陷分类

Semiconductordevice—Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsilicon

carbidehomoepitaxialwaferforpowerdevices—Part1:Classificationofdefects

(IEC63068-1:2019,IDT)

2023-12-28发布

2024-07-01实施

国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会

发布

I

GB/T43493.1—2023/IEC63068-1:2019

目次

前言 Ⅲ

引言 IV

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4缺陷分类 5

4.1通则 5

4.2缺陷类别说明 5

参考文献 17

Ⅲ

GB/T43493.1—2023/IEC63068-1:2019

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件是GB/T43493《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据》的

第1部分。GB/T43493已经发布了以下部分：

——第1部分：缺陷分类；

——第2部分：缺陷的光学检测方法；

——第3部分：缺陷的光致发光检测方法。

本文件等同采用IEC63068-1:2019《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测

识别判据第1部分：缺陷分类》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布结构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本文件起草单位：河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、山东天岳先进科技股份有限公司、之江实验室、浙江大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、深圳创智芯联科技股份有限公司、深圳市晶扬电子有限公司、广州弘高科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、

深圳市星汉激光科技股份有限公司、中微半导体(上海)有限公司。

本文件主要起草人：房玉龙、芦伟立、李佳、张冉冉、张红岩、王健、李丽霞、殷源、李振廷、张建峰、徐晨、杨青、刘立娜、钮应喜、金向军、丁雄杰、刘薇、杨玉聪、魏汝省、吴会旺、姚玉、高东兴、王辉、陆敏、

夏俊杰、周少丰、郭世平。

GB/T43493.1—2023/IEC63068-1:2019

引言

碳化硅(SiC)作为半导体材料，被广泛应用于新一代功率半导体器件中。与硅(Si)相比，具有击穿电场强度高、导热率高、饱和电子漂移速率高和本征载流子浓度低等优越的物理性能，SiC基功率半导

体器件相对于硅基器件，具有更快的开关速度、低损耗、高阻断电压和耐高温等性能。

SiC功率半导体器件尚未全面得以应用，主要由于成本高、产量低和长期可靠性等问题。其中一个严重的问题是SiC外延材料的缺陷。尽管都在努力降低SiC外延片中的缺陷，但商用SiC外延片中仍

存在一定数量的缺陷。因此有必要建立SiC同质外延片质量评定国际标准。

GB/T43493旨在给出高功率半导体器件用4H-SiC同质外延片中各类缺陷的分类、光学检测方法

和光致发光检测方法。由三个部分组成。

第1部分：缺陷分类。目的是列出并提供高功率半导体器件用4H-SiC同质外延片中各类缺

陷及其典型特征。

——第2部分：缺陷的光学检测方法。目的是给出并提供高功率半导体器件用4H-SiC同质外延

片中缺陷光学检测的定义和指导方法。

第3部分：缺陷的光致发光检测方法。目的是给出并提供高功率半导体器件用4H-SiC同质

外延片中缺陷光致发光检测的定义和指导方法。

IN

1

GB/T43493.1—2023/IEC63068-1:2019

半导体器件

功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的

无损检测识别判据