北京理工大学 光电成像原理与技术第10章_红外热成像器件成像物理.pptVIP

  • 6
  • 0
  • 约 509页
  • 2024-07-07 发布于河北
  • 举报

北京理工大学 光电成像原理与技术第10章_红外热成像器件成像物理.ppt

北京理工大学光电成像原理与技术第10章_红外热成像器件成像物理大学,本科,专科,硕士,笔记,课件,期中试卷答案,期末试卷答案,教材答案,知识点,经济法,材料科学基础,材料力学,电路,电子技术基础,高频电子线路,宏观经济学,模拟电路基础,模拟电子技术,数字电路,数字电子技术,数字信号处理,通信原理,信号与系统,化工原理,机械设计基础,机械原理,机械制图,微机原理与接口技术,C++程序设计,JAVA技术与应用,MATLAB基础与应用,计算机网络,计算机组成原理,软件工程数据结构,工程力学,工程热

*工作原理:金属淀积在半导体表面而形成的具有单向导电、整流作用的金属半导体接触-肖特基势垒;隧道效应:随着掺杂浓度提高,空间电荷区变窄,肖特基势垒变薄,出现穿透几率迅速升高、穿透电子形成隧道电流的现象。该隧道电流会超过热电子发射产生的电流。半导体中的费米能级高于金属中的费米能级,两者接触后,为使费米能级达到平衡,在接触面电子流向金属,电子电荷分布在金属层10-10m以内,半导体的表面层形成空间电荷区厚几个μm。结果,半导体附近能带弯曲,形成势垒,势垒阻挡金属与半导体内的电子交换,形成高阻层。正偏时,肖特基势垒不变,金属流向半导体的电子数不变,形成大正向电流。反偏时,流过势垒的电子流主要为金属向半导体方向,故电流很小,所以肖特基势垒只能单向导电。肖特基势垒光二极管结构红外焦平面阵列探测器-肖特基势垒*流经肖特基势垒的电子流密度主要经过四个过程红外焦平面阵列探测器-肖特基势垒*流经肖特基势垒的电子流密度主要经过四个过程半导体电子越过势垒进入金属-热发射电流;红外焦平面阵列探测器-肖特基势垒*流经肖特基势垒的电子流密度主要经过四个过程半导体电子越过势垒进入金属-热发射电流;电子由量子力学隧道穿过势垒-隧道电流;红外焦平面阵列探测器-肖特基势垒*流经肖特基势垒的电子流密度主要经过四个过程半导体电子越过势垒进入金属-热发射电流;电子由量子力学

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档