硅片径向电阻率变化测量方法.pdf

硅片径向电阻率变化测量方法

1范围

本文件描述了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。

-43

本文件适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15mm、室温电阻率在1×10—8×10Ω·cm的P型硅

-44

单晶片及室温电阻率在1×10—1.5×10Ω·cm的N型硅单晶片的径向电阻率变化的测量。硅单晶其他范围

电阻率的测试可参照本文件进行。

注1:如果芯片的厚度大于测量探针的平均间距，除了在芯片表面的中心测量外，没有几何校正因子

可用。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。凡是注日期的引用文件，

仅注日期的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1551—2021硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

GB/T2828（所有部分）计数抽样检验程序

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T12965硅单晶切割片和研磨片

GB/T14264半导体材料术语

GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

4方法原理

4.1直排四探针法

排列成一直线的四根探针垂直地压在近似为半无穷大的平坦样品表面上,当直流电流由探针1、探

针4流入半导体样品时,根据点源叠加原理,探针2、探针3位置的电位是探针1、探针4点电流源产生

的电位的和,探针2、探针3之间的电势差即为电流源强度、样品电阻率和探针系数的函数。将直流电

流I在探针1、探针4间通入样品,测试探针2、探针3间所产生的电势差V,根据测得的电流和电势差

值,按公式(1)计算电阻率,测试示意图见图1。对圆片样品还应根据其厚度、直径与平均探针间距的比

例,利用修正因子进行修正。

V

ρ2πS…………(1)

I

式中:

ρ———电阻率,单位为欧姆厘米(Ω·cm)；

1

S———探针间距,单位为厘米(cm)；

V———测得的电势差,单位为毫伏(mV)；

I———测得的电流,单位为毫安(mA)。

图1直排四探针法测试电阻率的示意图

4.2硅片径向电阻率变化的计算方法

径向电阻率变化是晶体生长过程和掺杂剂的函数。由于没有一个单一的取样计划足以表征所有晶体

类型或所有应用的电阻率变化，本测试方法中包括四个取样计划。

根据要求选择四种选点方案中的一种，按GB/T1551的方法进行测量，并利用几何修正因子计算出

硅片电阻率及径向电阻率变化。

本标准提供四种测量选点方案。采用不同的选点方案能测得不同的径向电阻率变化值。

5干扰因素

5.1光照可能影响电阻率测试结果,因此,除非是待测样品对周围的光不敏感,否则测试宜尽量在光线较

暗的环境或遮光罩中进行。

3

注:对于电阻率大于10Ω·cm的样品,光照的影响更显著。

5.2当测试仪器放置在高频干扰源附近时,有可能会导致样品内交流干扰产生杂散电流,引起电阻率测

试结果的误差,此时仪器应有电磁屏蔽。

5.3样品中电场强度不宜过大,以避免少数载流子注入。对于高电阻率、长寿命的样品,少数载流子注

入可能导致电阻率减小。少数载流子注入对电阻率的影响可以通过低电流下重复测试获得,重复测试电

阻率不发生变化,说明少数载流子注入的影响很小。如果使用的电流适当,用该电流的2倍或1/2倍进行

测试时,引起电阻率的变化应不超过±0.5%。

5.4电阻率测试受温度影响,因此需要保持测试过程中测试环境的温度稳定。测试基准温度为