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电子技术基础
半导体三极管
任务目标：1.熟悉三极管的结构；2.掌握三极管中载流子的运动和电流分配关系；3.熟悉三极管的特性曲线；4.掌握三极管的主要参数。
半导体三极管晶体管(transistor)双极型三极管或简称三极管制作材料：分类：它们通常是组成各种电子电路的核心器件。双极型又称为：硅或锗NPN型PNP型
一、三极管的结构三个区发射区：杂质浓度很高基区：杂质浓度低且很薄集电区：无特别要求发射结集电结集电区基区发射区cbeNPN型三极管的结构和符号两个PN结发射结集电结三个电极发射极e基极b集电极c集电极ccollector基极bbase发射极eemitterNPN
RbRcEBECecb发射极电流二、三极管中载流子的运动和电流分配关系发射:发射区大量电子向基区发射。2.复合和扩散：电子在基区中复合扩散。3.收集：集电区将扩散过来的电子收集到集电极。同时形成反向饱和电流ICBO。IEICIBICNIENIBNICBO集电极电流基极电流
RbRcEBECecbIEICIBICNIENIBNICBOIC=ICN+ICBOIE=ICN+IBNIEN=ICN+IBNIE=IENIE=IC+IB整理以上公式得：IB=IBN-ICBO
β≈ICIBIE=IC+IB当ICEOIC时，可得β称为共射直流电流放大系数。ICEO=（1+β）ICBOICEO称为穿透电流。
IE=IC+IBIC≈βIBIE=（1+β）IBβ=ΔICΔIBβ：共射交流电流放大系数。
三、三极管的特性曲线1.输入特性IB=f（UBE）UCE=常数UCE=0VUCE=2V当UCE大于某一数值后，各条输入特性十分密集，通常用UCE1时的一条输入特性来代表。UBE/ViB/μAO三极管的输入特性UBEib+-UCE=0VBBRbbec三极管的输入回路
2.输出特性iC/mAOuCE/ViB=80μА6040200IC=f(UCE)IB=常数饱和区放大区截止区：IB≤0的区域，IC≈0，发射结和集电结都反偏。2.放大区：发射结正偏集电结反偏ΔIC=βΔIB3.饱和区：发射结和集电结都正偏，UCE较小，IC基本不随IB而变化。当UCE=UBE时，为临界饱和；当UCEUBE时过饱和。截止区动画
（a）（b）（c）[例]判断图示各电路中三极管的工作状态。0.7VVT0.3VRbRcECEBVTRbRcECVT
四、三极管的主要参数2.反向饱和电流β=ΔICΔIBβ≈ICIBβ共射直流电流放大系数集电极和基极之间的反向饱和电流ICBO集电极和发射极之间的穿透电流ICEOICEO=（1+）ICBOβ两者满足1.电流放大系数共射电流放大系数β
3.极限参数a.集电极最大允许电流ICMiC/mAOuCE/V三极管的安全工作区过流区集射反向击穿电压U(BR)CEO集基反向击穿电压U(BR)CBOICUCE=PCM过压区安全工作区ICM过损耗区U(BR)CEOc.极间反向击穿电压b.集电极最大允许耗散功率PCM下页上页首页
下页上页五、PNP型三极管PNP型三极管的放大原理与NPN型基本相同，但外加电源的极性相反。~VBBuiRbRcVT+-uoVCC~VBBuiRbRcVT+-uoVCC首页
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