半导体物理学期末复习试题及答案三.pdfVIP

系别班次学号姓名.

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

一、选择题.

1.电离后向半导体提供空穴的杂质是（A)，电离后向半导体

提供电子的杂质是（B)。

A.受主杂质B。施主杂质C.中性杂质

2.在室温下，半导体Si中掺入浓度为的磷杂质后，半导体中多数载

流子是（C），多子浓度为（D）,费米能级的位置

（G）；一段时间后,再一次向半导体中掺入浓度为的硼杂质，

半导体中多数载流子是（B），多子浓度为(E），费

米能级的位置（H）；如果,此时温度从室温升高至，则杂质半

导体费米能级的位置（I）.（已知：室温下，；时,)

A。电子和空穴B。空穴C。电子

D.E。F。

G.高于H。低于I。等于

3.在室温下，对于n型硅材料，如果掺杂浓度增加，将导致禁带宽

度(B），电子浓度和空穴浓度的乘积（D)，功函数

（C）。如果有光注入的情况下，电子浓度和空穴浓度的乘

积（E）。

A。增加B.不变C.减小

D.等于E.不等于F.不确定

4.导带底的电子是（C).

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系别班次学号姓名.

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

A。带正电的有效质量为正的粒子

B.带正电的有效质量为负的准粒子

C.带负电的有效质量为正的粒子

D.带负电的有效质量为负的准粒子

5.P型半导体MIS结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材

料的类型（B）。在如图所示MIS结构的C-V特性图中，

代表去强反型的（G）.

A。相同B.不同

C。无关D。AB段

E.CD段F.DE段

G。EF和GH段

6.P型半导体发生强反型的条件（B）。

A.B。

C.D.

7.由于载流子存在浓度梯度而产生的电流是(B)电流，由于

载流子在一定电场力的作用下而产生电流是（A）电流。

A.漂移B.扩散C.热运动

8.对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，

其中,AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（