TFT阵列工艺中显影液控制系统原理及优化控制方法.docx

TFT阵列工艺中显影液掌握系统原理及优化掌握方法

本文具体介绍了TFT阵列光刻工艺中关于四甲基氢氧化铵TMAH显影液浓度掌握系统，并从系统设计原理动身争论显影液的浓度掌握优化方式，显影液用量掌握方式，溶解在显影液内的光刻胶浓度掌握方式的实际应用。

标签：TFT、阵列光刻工艺；显影液；回收再生掌握系统；浓度用量掌握；溶解光刻胶浓度掌握

Abstract：ThepaperdescribestheTMAHdeveloperconcentrationcontrolsystemofTFTPhotolithographyindetail.Andthroughthebasicprincipleofthesystemtodiscussthemethodandtheapplicationoftheconcentrationoptimizationcontrolandtheusageofdevelopercontrolandtheconcentrationcontrolofthephotoresistwhichisdissolvedinthedeveloperinthepracticalproduction

KeyWords：TFT、Photolithography、developer、Recycleandreproductioncontrolsystem、concentrationandusagecontrol、theconcentrationcontrolofthephotoresistwhichisdissolvedinthedeveloper

1引言

薄膜晶体管液晶显示器〔TFT-LCD〕以其轻、薄、无辐射及便携式和易大面积化等特点[1-2]，已成为当今信息显示领域中的终端显示主流产品之一。从TFT阵列的光刻制作工艺来看，玻璃基板通过成膜后清洗，枯燥，涂布肯定厚度的光刻膠，减压枯燥和热板枯燥，通过曝光将掩膜板〔MASK〕的图形向基板上的光刻胶进展同比例大小的复制，通过显影将基板上被曝光的光刻胶图型进展溶解，最终清洗枯燥后，形成固定光刻胶图形[1-2]。通过四次或五次的不同mask〔分别对应TFT对应的功能层别〕的工序过程，组成TFT的光刻工艺[3-4]。

在每一道工序中，都会包含一次显影工艺，显影的主要过程为：使用显影液对曝光过的玻璃基板进展处理，未经曝光局部的光刻胶由于与被曝光局部的光刻胶在显影液内溶解度的差异而在预定的显影时间内被保存下来的整个过程，如公式1.1、1.2。

公式1.1曝光局部光刻胶的显影反响

Formula1.1thereactionofthedevelopwiththephotoresistofexposure

公式1.2曝光局部光刻胶的显影反响

Formula1.1thereactionofthedevelopwiththephotoresistofnon-exposure2显影液浓度掌握系统

显影液浓度掌握方法设计

在显影工艺制程中最为关键的两个因素是温度和浓度，需要有严格准确的掌握，主流的显影制程条件为显影液浓度：2.38%温度：23℃。浓度掌握方法始终是显影浓度掌握系统的核心。

在液晶面板的制造工程中的光刻胶的显影处理中，基板尺寸的大型化和制造工艺的进步，显影液用量成倍的增加。从降低制造本钱等观点来考虑，可以将已使用过的碱性显影液加以回收，经再生后向显影工序供给是显影液掌握系统目前主要的设计方法[5]。掌握系统可将浓度掌握及显影液供给分为两块，一块是液浓度配比生成，一块是回收液浓度配比再生，两块互为互补，如图2.1.1显影液掌握系统构成

图2.1.1显影液掌握系统构成Figure2.1.1developercontrolsystem

显影液浓度掌握方式

显影液液调和供液单元DDS-21

在显影液掌握系统液生产过程中，显影液浓度的掌握主要是通过20%浓度的TMAH〔原液〕通过固定比例的纯水进展一次配比，配比出接近2.38%浓度的显影液，通过浓度掌握器接入MT〔mixingtank调和储液罐，以下简称MT〕实时监控储液罐内显影液浓度并通过小量通入20%的原液或纯水进展浓度调整〔掌握浓度上升或者降低〕，此处浓度调整较为粗略，，且混合波动性较大，故储液罐设计不能使用较大容量的类型，否则混合过程中浓度变化有较大的滞后性，此处MT可定义为显影液再生系统的1级调整单元。MT处需设定可供液范围〔向servicetank供