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TDDNOISE的一些处理方法

好多手机都会产生恼人的TDMA噪声,频率为217Hz.其产生的缘由如下两种途径:a,天线辐射出的射频能量干扰

此种干扰可被33PF电容有效滤除,即在Receiver两端分别对地加电容,两端间再加一电容,共3个电容即可.

b,PA突发工作时带动电源产生的干扰

此种干扰无法滤除,由于217Hz的频率实在是太低啦,又恰好与receiver的音频重叠在一起.无法从频率上分开信号与干扰.

不够如上所述b的状况,实际操作也是可以降低影响的：

在PCBlayout时，RFPA、PMIC、以及音频的APA几个直接连在电池VBAT上的耗电大户，应当分别直接从电池连接器上引线，而不要从一个干线上引线。

也就是，几个单元之间不要有公共的供电路径，这样，可最小化电源产生的干扰。

串电阻可以减小该TDMA的噪声，同时加大RECEIVER的输出增益，电阻大小可依据调试状况而定〔针对PA突发工作时带动电源产生的干扰〕

〕GSM的TDMA每个timeslot〔时隙〕为577uS，每帧有8个timeslot，即每帧长为577us×8=4.616ms。GSM是收发双工的，也就是只要处于通信状态，放射帧是连续发送的。PA在每次放射是都会有一个burst大电流的需求,电源电路就会把这个噪声串到整个电路板上。

a，走线要并行走且用的保护

b，走线避开接近大信号区c，音频电源要干净

d，mic的偏置电源、地要保护好

a，假设走线太长,receiverAMP必需尽量靠近CPU端.可以在audio讯号受到干扰前先放大声音讯号

b，22pF电容比33pF有效..最好是加再receiver两端c，receiver两端的走线尽量靠近.上下包GND

差分线上的干扰信号可以表示为一个共模干扰局部+差摸干扰局部，差分线之间的电容是为了去差摸干扰，而每根线到地的电容是为了去共模干扰。

确定差分线之间的电容是用于差模抑制，每根到地的电容是用于共模抑制的吗？

可以讲解下这些电容抑制差模、共模干扰的原理，也就是描述下它的工作过程。以及电容大小的选择依据，还请高手赐予详解。

这个问题用语言讲起来还是比较简单的，协作图和公式可能要好点。

首先你不要拘泥在名词上，差模和共模干扰都是借鉴经典电磁学的概念，实际上可能存在肯定的区分。

比方给MIC，听筒，speaker的这类差分信号线的保护：现在每条线上有2n幅度的干扰。

假设只有每条线到地的电容、一条线被滤成1n了，另一条被滤成0.7n，这些干扰还是会进

入末端器件。

而假设你在线上跨接一个电容，则可以为这局部噪声供给一个路径，避开进入末端器件。

而假设你只有一个跨接电容，没有到地电容，则由于电容两边信号完全一样，丧失了该电容的作用。

因此，需要这3个电容组合起来使用，才能发挥最正确效果。

不同容值，材料的电容，谐振频率不一样，用来滤掉特定频率的干扰，需要选适宜谐振频率的电容。所以很多地方滤波都有大大小小不同容值电容并联。

bead滤除高频noise，虽然其本身听不见，但假设这个noise以肯定的频率〔音频范围〕消灭〔比方GSM中的TDDnoise〕，这样，其就会造成可听见的噪音。还有出于EMI的考虑，通常音频通路比较长，比方喇叭的绕线，耳机线等，会拾取和放射高频noise，所以要添加bead滤掉。

电容的规格书上有曲线图，每个电容对不同的频率都有一个ESR，有一个最小值。电容在低于其谐振频率时候其呈现的是容性，等于谐振频率时表现为电阻性，高于谐振频率时表现为电感性。同样容值不同类型的电容的ESR也会有很大差异，其表现出来的谐振点也会有区分。即使同是陶瓷电容，NPO,Z5U,X7R,Y5V等等之间的频率特性就不一样，再加上走线也会产生寄生电感，所以说肯定要针对哪个电容针对哪个频段是很难确定的。

音频线上，比方耳机接口上、Mic、Speaker、Receiver线上，串磁珠其实也挺常见的，特别是在耳机线上。固然主要的目的是削减EMI，耳机线很长，相当于天线，串上磁珠可以堵塞高频率的噪声通过耳机线向外辐射。在Mic、Speaker、Receiver上，其实是有一点多此一举，假设连接的Cable很短的话。针对射频对音频的干扰，则一般通过小电容的滤波来解决，而用不着磁珠。其实很多电路，都是那些似懂非懂的人做出来的。还是需要从基本原理去理解各种器件的特性及其在电路中的作用来着手，思考其是否有用，是否必要。

通常耳机电路都是需要隔值钽电容的，或许在百uf级〔现在有专用的capless驱动芯片，可以省去电容〕。这个TAN电容的ESR相当于增加了耳机的负载，会降低耳机的输出功率。但同样有助于改善低频响应。通常选这标准品TAN电，其ESR大约几个ohm，影响不至