2023中国车规级芯片产业行业创新研究报告.pptxVIP

2023中国车规级芯片产业行业创新研究报告;

中国车规级芯片产业未来展望

3.1中国车规级芯片发展挑战

3.2车规级芯片技术展望

3.3车规级芯片产品展望

3.4车规级芯片生态展望

3.5车规级芯片国产化展望;;;

传感器

（磁性、压力、电流、雷达、3DToF、TrueTouch、CapSense）

微控制器

（嵌入式电源集成电路、PSoC、Traveo）

储存器

（NORFlash、SRAM、nvSRAM、F-RAM）

功率半导体

（MOSFETS、IGBTs、modules、driveslcs、LDOs、PMICs、USBType-CPD）;

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u综合考虑整车项目开发流程与芯片设计开发流程，芯片从设计到量产上车需要3.5到5.5年时间，且芯片上车后需尽量满足汽车产品5到10年生命周期内的OTA升级迭代需求。亿欧智库认为，主机厂与芯片厂商深度捆绑无可避免，通过深度合作共同提高产品定义与设计前瞻性已成主要发展点。

u由于车载计算芯片仍在不断发展中，车载计算平台的异构芯片形态将长期存在。相较传统ECU，车载计算平台的复杂度呈数倍提升，面临功耗、散热、电磁、质量等多重挑战。此外，由于能效比、工艺制程以及芯片堆叠带来的功耗、散热与成本挑战，车载计算平台算力存在物理上限。;

u“缺芯”问题的主要原因为芯片生产难度大、需求增长较快、供需结构不平衡、上游企业产能不足、疫情影响、以及车企囤货情况严重等6个主要原因。除中国自主芯片企业大而不强等因素外，供应链结构恶性发展也在加剧芯片危机。多重“内忧”因素共同作用，层层加剧芯片危机。

u中国MCU市场大部分份额被外资企业瓜分，其中占比最高的为瑞萨电子，市场份额高达17%。中国车规级芯片仍然依赖于进口，核心技术研发与资源面临落后于发达国家的尴尬。目前正遭遇“内忧外患”的困境。

u面对“内忧外患”严重、技术“卡脖子”形势严峻等诸多困境，中国车规级芯片企业创新破局成为必经之路。;;;

02中国车规级芯片产业创新分析

2.1中国车规级芯片创新纬度

2.2中国车规级芯片技术创新

2.3中国车规级芯片产品及应用场景创新

2.4中国车规级芯片企业发展创新;

半导体材料

基体材料

制造材料

封装材???

半导体设备

原材料生产设备

IP核

EDA工具;

u相较传统的Si（硅）而言，第三代宽禁带半导体材料SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）因其特性更适用于高压、高频环境。其中，SiC功率器件在新能源汽车领域中具有巨大潜力，主要应用于主驱逆变器、车载充电系统OBC、车载电源转换器DC/DC及非车载充电桩。

u随未来800V高压平台成为主流方案，相比当前主流的Si-IGBT，耐高压性、耐高温性更强，开关频率、功率密度更高且损耗更低的SiC-MOSFET在高压领域中更具优势。尤其在主驱逆变器中，SiC-MOSFET方案能够显著减少导通损耗和开关损耗、节约芯片面积、节省成本。

u中国SiC发展起步虽有落后，但当前已有明显成果。如比亚迪半导体不断迭代IGBT技术的同时还大力布局SiC功率器件，率先实现SiC功率模块量产落地，在迈入以SiC-MOSFET替代Si-IGBT阶段之后，进一步专为SiC定制功率模块以发挥SiC材料的显著优势。;;

u芯片设计以性能与安全为核心目标和驱动力。面对越发庞大复杂的汽车数据，提升芯片计算性能迫在眉睫，诸多芯片厂通过多个集成高主频内核来提升芯片整体计算效率。100MHz已不足为奇，更有芯片其主频已高达800MHz，高主频高性能芯片成为设计主流。

u在智能网联趋势之下，网络信息安全日益重要，主机厂已普遍采用“安全芯片（SE）+硬件安全模块（HSM）”方案构建信息安全防护体系，芯片防护能力和信息安全设计成为新焦点，当前中国已有企业凭借多年安全芯片技术布局汽车电子，深入车规级芯片信息安全设计。

u在功能安全设计方面，目前多核MCU主要采用锁步架构设计提升安全性；集成更多模块的SoC通常安全等级较低，需要外挂高安全MCU实现功能安全等级提升，同时还有芯片厂进一步提升SoC集成化程度，内置高安全MCU作为安全岛从而增强整个SoC的功能安全性。;

存算一体架构

GPU架构

CPU架构;;

uE/E架构演进路径是车规级芯片设计、定义、布局、规划的核心脉络。当前跨域融合趋势如火如荼，部分企业将目光放远至更加前沿的第三代

Zonal架构。Zonal架构下，EEA从功能域跨入物理域，形成“中央+区域控制”架构，功能域进一步深