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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102225843A
(43)申请公布日2011.10.26
(21)申请号CN201110123043.5
(22)申请日2011.05.13
(71)申请人烽火通信科技股份有限公司
地址430074湖北省武汉市东湖开发区关东科技园东信路5号
(72)发明人陈伟李诗愈莫琦罗文勇柯一礼黄文俊胡福明
(74)专利代理机构北京捷诚信通专利事务所(普通合伙)
代理人魏殿绅
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
光纤预制棒的制造方法
(57)摘要
一种光纤预制棒的制造方法,包
括:(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备
光纤芯棒;(2)采用等离子化学气相沉积
PCVD工艺制备掺氟下陷包层,与(1)中制
备的光纤芯棒熔缩成光纤芯棒预制件;(3)
采用外部气相沉积OVD工艺制备光纤芯棒
预制件的外包层,最终烧结成透明的光纤
预制棒;所述光纤芯棒包含包层,光纤芯
棒的包层直径与光纤芯棒的芯直径二者比
值在3.2~4.6之间;所述掺氟下陷包层起
始位置的直径与所述芯直径的比值在3.2~
4.6之间,所述掺氟下陷包层的宽度与芯直
径的比值在0.24~0.49之间。本方法解决
了单模光纤高效规模化生产的关键技术,
大幅度提高弯曲不敏感单模光纤预制棒的
制造效率,降低生产成本。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种光纤预制棒的制造方法,该方法包括以下步骤:
(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备光纤芯棒;
(2)采用等离子化学气相沉积PCVD工艺制备掺氟下陷包层,与(1)中制备的光纤芯
棒熔缩成光纤芯棒预制件;
(3)采用外部气相沉积OVD工艺制备光纤芯棒预制件的外包层,最终烧结成透明的
光纤预制棒;
其特征在于:所述光纤芯棒包含包层,光纤芯棒的包层直径与光纤芯棒的芯直径二
者比值在3.2~4.6之间;所述掺氟下陷包层起始位置的直径与所述芯直径的比值在
3.2~4.6之间,所述掺氟下陷包层的宽度与芯直径的比值在0.24~0.49之间。
2.如权利要求1所述的光纤预制棒的制造方法,其特征在于,步骤(1)中采用VAD
工艺制备光纤芯棒,具体包括以下步骤:将直径为70~80mm的靶棒安置在VAD
沉积车床上,通入四氯化硅、四氯化锗和高纯氧气的混合气体,在氢氧焰高温下生
成掺锗的石英玻璃芯层和部分包层,VAD工艺的加工参数为:混合气体的总流量
为19000~21000ml/min,光纤芯棒的沉积速率为20~25g/min,形成光纤芯棒,芯
层部分与纯石英玻璃的相对折射率差为0.35%~0.39%。
3.如权利要求2所述的光纤预制棒的制造方法,其特征在于,VAD工艺的加工参
数为:混合气体的总流量为20000ml/min,光纤芯棒的沉积速率为22g/min,形成
光纤芯棒,其包层直径与芯直径的比值为4.2,芯层部分与纯石英玻璃的相对折射
率差为0.37%。
4.如权利要求2所述的光纤预制棒的制造方法,其特征在于,步骤(2)中采用PCVD
工艺制备掺氟下陷包层,具体包括以下步骤:将外直径为70mm、内直径为65mm
的纯石英玻璃基管,安置在PCVD沉积车床上,通入四氯化硅、
Csub2/subFsub6/sub和高纯氧气的混合气体,PCVD工艺的加工参数为:
混合气体的总流量为10000~12000ml/min,在15.2~18.5kW微波的作用下,在石
英基管的内部沉积掺氟下陷包层,石英管内压力为16~18mbar,沉积速率为8.6~
10.6g/min,掺氟下陷包层与纯石英玻璃基管的相对折射率差为-0.4%~-0.6%之间。
5.如权利要求4所述的光纤预制棒的制造方法,其特征在于,PCVD工艺的加工参
数为:混合气体
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