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半导体物理期中考试试题

半导体物理期中考试试题

说明：学号后两位能被3整除的做A类题、余数为1的做B类题、余数为2的做C类题。

一、选择填空（含多项选择）

A1.热平衡时，非简并半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与（CD）有关，而与（AB）无关。

A.杂质浓度B.杂质类型C.禁带宽度D.温度

B1.对于一定的n型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将导致EF靠近（D）。

A.EcB.EvC.EgD.Ei

C1.对于处于饱和区的半导体材料，温度升高将导致禁带宽度（C），多子浓度（B），少子浓度（A）。

A.变大B.不变C.变小

A2.当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（C）倍。

A.1B.1/2C.1/3D.1/4

B2.费米分布函数曲线如图，则温度关系为（B）

A.T1T2T3B.T3T2T1C.无法判定

C2.磷掺入硅中起（A），硼掺入硅中起（B），位错缺陷起（AB）作用，当磷和硼杂质同时掺入硅中时，半导体的导电类型为（E）。

A.施主作用B.受主作用C.n型D.p型E.无法判定

A3B3C3.室温下，半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3，同时掺有浓度为1.1×1015cm-3的磷，则电子浓度约为（B），空穴浓度为（D），费米能级（G）；将该半导体升温至800K，则多子浓度约为（F），少子浓度为（F），费米能级（I）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm-3，800K时，ni≈2×1017cm-3）

A.1014cm-3B.1015cm-3C.1.1×1015cm-3D.2.25×105cm-3E.1.2×1015cm-3F.2×1017cm-3

半导体物理期中考试试题全文共1页，当前为第1页。G.高于EiH.低于EiI.等于Ei

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二、分析题

A1.分析Ge、Si、砷化镓的能带宽度规律特点，禁带宽度随温度的变化趋势。

内壳层的电子受束缚强，轨道交叠少，共有化运动弱，能级分裂小，能带较窄；

外壳层的电子受束缚弱，轨道交叠多，共有化运动强，能级分裂明显，能带较宽；

禁带宽度随温度升高而减小，因为此三种半导体材料具有热膨胀性质，如图，当原子间距变大时，能带宽度和禁带宽度均变小。

B1.解释什么叫空穴，并指出空穴的特征（能量、速度、加速度、电量、有效质量等等）。

概念：

当晶体能带的满带顶附近有空状态时，整个能带中的电流以及电流在电磁场作用下的变化，如同一个带正电荷+q，具有正有效质量mp*，与该状态的电子同速度的假想粒子的运动，这个假想的粒子称为空穴.

特点：

所带电量：qp=-qn

有效质量：mp*=-mn*

波矢：kp=-kn

粒子速度：vp=vn

粒子具有能量：Ep=-En，价带顶为能量零点

C1.简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。

三者的共同点：a)禁带宽度具有负温度系数b)价带顶位于布里渊区中心，k=0处，等能面不是球面，有一个轻空穴带和一个重空穴带；

Ge、Si的相同点：间接带（能）隙结构，等能面为旋转椭球面；

GaAs直接带（能）隙结构；

Si的导带底位于100上距布里渊区中心到边界的0.85处；

Ge的导带底位于111方向上布里渊区边界；

GaAs导带底位于k=0处，等能面为球面，导带具有独特的多能谷结构。

半导体物理期中考试试题全文共2页，当前为第2页。A2.深能级杂质和浅能级杂质对半导体各有何影响？

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二者多为替位式杂质

浅能级杂质在禁带中产生的施主能级距离导带底和价带顶较近，深能级杂质在禁带中产生的施主能级距离导带底和价带顶较远。

浅能级杂质电离能小，很容易电离，向导带（价带）释放一个电子（空穴），通常用来改变半导体的导电类型和电阻率。

深能级杂质电离能较大，不易电离，通常不提供载流子，但会对载流子的运动、非平衡载流子的寿命和光电器件的发光效率构成影响。

B2.何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？室温下含有1×1016cm-3施主杂质与含有2×1016cm-3施主杂质及1×1016cm-3受主杂质的半导体硅的导电类型和多子浓度是否相同？

当半导体中施主受主杂质同时存在时，施主提供的电子会优先占据受主缺失的电子位置完成共价键，施受主同时处于电离状态，但并未提供出载流子，此现象