二极管复习讲解.pptx

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电力电子技术

PowerElectronicTechnology教师：陈柬（ChenJian）

1PN结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。复习：PN结及半导体二极管

P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动空间电荷区PN结处载流子的运动

扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场EPN结处载流子的运动内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。

漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场EPN结处载流子的运动所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。

2PN结的单向导电性PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是：P区加正、N区加负电压。PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是：P区加负、N区加正电压。

PN结正向偏置－－－－++++内电场减弱，使扩散加强，扩散?飘移，正向电流大空间电荷区变薄PN+_正向电流

PN结反向偏置－－－－++++空间电荷区变厚NP+_++++－－－－内电场加强，使扩散停止，有少量飘移，反向电流很小反向饱和电流很小，?A级

3半导体二极管(1)、基本结构PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。PNPN符号阳极阴极

(2)、伏安特性UI导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压U(BR)死区电压硅管0.5V,锗管0.2V。UIE+-反向漏电流（很小，?A级）

（3）静态电阻Rd，动态电阻rDUQIQUS+-R静态工作点Q（UQ，IQ）

（3）静态电阻Rd，动态电阻rDiuIQUQQ?IQ?UQ静态电阻：Rd=UQ/IQ（非线性）动态电阻：rD=?UQ/?IQ在工作点Q附近，动态电阻近似为线性，故动态电阻又称为微变等效电阻

例1：二极管：死区电压=0.5V，正向压降?0.7V(硅二极管)理想二极管：死区电压=0，正向压降=0RLuiuOuiuott二极管半波整流

例2：二极管的应用RRLuiuRuotttuiuRuo利用二极管的特性可以作半波整流和产生正负脉冲

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