固态成像装置及制造固态成像装置的方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1565059A

(43)申请公布日2005.01.12

(21)申请号C7

(22)申请日2002.10.02

(71)申请人索尼株式会社

地址日本东京都

(72)发明人春日卓

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

代理人李晓舒

(51)Int.CI

H01L27/148

H04N5/335

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

固态成像装置及制造固态成像装置

的方法

(57)摘要

由按照矩阵布置在半导体基板(6)表

面上的光传感器(4)产生的电荷通过埋在光

传感器(4)下面的第一和第二传输电极(12、

14)传输。半导体基板(6)具有由硅的支撑基

板(16)、缓冲层(18)和单晶硅的硅薄膜层

(20)构成的多层结构。p

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

Claim1.一种固态成像装置，具有彼此相邻的多个光传感器，该装置包括：

支撑基板；

缓冲层，设置在该支撑基板的表面上，该缓冲层包括绝缘材料；

单晶硅薄膜，设置在该缓冲层上；

所述多个光传感器，设置在该单晶硅薄膜中，并且按矩阵图形布置使得该些光传感

器彼此相邻；以及

电极，设置在该缓冲层与光传感器之间，并且控制由光传感器产生的信号电荷，该

信号电荷在光传感器接收光时产生。

Claim2.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括插在该些电极与光传感器

之间的绝缘膜。

Claim3.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中该绝缘膜将由该光传感器入

射的光朝向光传感器反射。

Claim4.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该些电极将由该光传感器入

射的光朝向光传感器反射。

Claim5.根据权利要求3所述的固态成像装置，还包括抗反射膜，设置在该光传

感器表面上，并防止入射在光传感器上的光的反射，

其中该抗反射膜将由光传感器入射在抗反射膜上的光朝向光传感器反射。

Claim6.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中每个光传感器具有多于一个

的电极，并且由每一列上的光传感器产生的信号电荷通过沿着光传感器的列的相应

电极传输。

Claim7.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中由该光传感器产生的信号电

荷通过该电极去除。

Claim8.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括溢出阻挡层，设置在该光

传感器下面并且与光传感器相接触。

Claim9.一种用于制造固态成像装置的方法，该固态成像装置具有彼此相邻的多

个光传感器和设置在该光传感器下并控制由光传感器产生的信号电荷的电极，该信

号电荷在光传感器接收光时产生，该方法包括步骤：

在单晶硅基板的第一表面中形成将该光传感器彼此分开的沟槽；

通过以器件分离材料填充该沟槽形成器件分离区；

在该硅基板的第一表面上形成该电极；

在该电极上形成包括绝缘材料的缓冲层；

将支撑基板结合在该缓冲层上；

抛光硅基板直至沟槽底部处的器件分离区的端部显露在该硅基板的第二表面中，该

第二表面与该第一表面相对；以及

通过穿过硅基板的第二表面向抛光过的硅基板中注入杂质离子，在硅基板中形成该

光传感器。

Claim10.根据权利要求9所述的固态成像装置，其中通过CMP工艺抛光硅基板，

并且沟槽底部处沟槽中材料的端部用作CMP工艺中的停止层。

Claim11.根据权利要求9所述的制造固态成像装置的方法，其中沟槽中的该材料

阻挡光。

Claim12.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中在该第一表面上形成电极以

前，通过穿过硅基板的第一表面以低能量向硅基板中注入杂质形成溢出阻挡层，该

溢出阻挡层位于光传感器的下面。

Claim13.根据权利要求9所述的制造固态成像装置的方法，其中该光传感器按矩

阵图形排列，并且为每一行光传感器、每一列光传感器