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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102769086A
(43)申请公布日2012.11.07
(21)申请号CN201210234808.7
(22)申请日2012.07.09
(71)申请人上海大学
地址200444上海市宝山区上大路99号
(72)发明人殷录桥付美娟张建华翁菲
(74)专利代理机构上海上大专利事务所(普通合伙)
代理人何文欣
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
基于硅基板通孔技术倒装芯片的发
光二极管及其制造工艺
(57)摘要
本发明涉及了一种基于硅基板通孔
技术倒装芯片的发光二极管及其制造工
艺。本发光二极管包括:荧光层、n型电
流扩展层、发光层、p型电流扩展层、金
属反光层、p型电极焊盘、金属通孔、绝
缘层、n型电极焊盘、硅基板线路层、硅
基板绝缘层、硅基板、硅基板负电极、硅
基板负电极金属通孔、硅基板正电极金属
通孔、硅基板正电极焊盘、硅基板通孔绝
缘层、芯片蓝宝石衬底。针对当前大功率
LED存在的结构缺陷,提供一种基于硅基
板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制
造工艺,通过刻蚀技术或者激光技术分别
在倒装LED芯片及硅基板上制作出通孔电
极、并进行共晶焊接完成封装。本发光二
极管器件无需金丝键合,此技术有利于在
大规模晶片级封装的开展,而且此技术不
仅通过通孔提高了散热性能,而且提高了
LED芯片封装的可靠性。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管,包括:荧光层(1)、n型电流
扩展层(2)、发光层(3)、p型电流扩展层(4)、金属反光层(5)、p型电极
焊盘(6)、金属通孔(7)、绝缘层(8)、n型电极焊盘(9)、硅基板线路层
(10)、硅基板绝缘层(11)、硅基板负电极焊盘(12)、硅基板电极金属通孔
(13)、硅基板正电极焊盘(14)、硅基板通孔绝缘层(15)、芯片蓝宝石衬底
(17)、硅基板(16);其特征在于在蓝宝石衬底(17)上依次生长有n型电流扩
展层(2)、发光层(3)、p型电流扩展层(4)、金属反光层(5)、p型电极焊
盘(6);通过金属通孔(7)将n型电流扩展层(2)与n型电极焊盘(9)相连接,
n型电极焊盘(9)与硅基板线路层(10)通过共晶连接在一起,并通过硅基板电
极金属通孔(13)连接到硅基板(16)背面的硅基板负电极焊盘(12),p型电流
扩展层(4)依次通过p型电极焊盘(6)、硅基板线路层(10)、硅基板电极金属
通孔(13)与硅基板正电极焊盘(14)相连接。
2.一种制造根据权利1要求所述的基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管的制
造工艺,其特征在于工艺步骤如下:
1)在在蓝宝石衬底(17)上依次制作n型电流扩展层(2)、发光层(3)、p型
电流扩展层(4)、金属反光层(5)、p型电极焊盘(6),制作成发光二极管芯
片;
2)通过刻蚀技术或者激光技术在发光二极管芯片、硅基板上进行通孔制作,并在
通孔周壁分别制作绝缘层(8)、硅基板通孔绝缘层(15)后进行金属通孔(7)、
电极金属通孔(13)的制作;
3)分别在芯片电极表面、硅基板表面进行金属层n型电极焊盘(9)、硅基板线路
层(10)、硅基板负电极焊盘(12)、硅基板正电极焊盘(14)的制作;
4)将发光二极管芯片、硅基板进行切割,并通过共晶技术将发光二级管芯片与硅
基板进行焊接;
5)将荧光层(1)与蓝宝石衬底(17)粘结在一起;
6)灌封胶灌封完成整个发光二极管器件的封装。
3.根据权利要求2所述的基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管的制造工艺,
其特征在于所述的蓝宝石衬底(17)通过减薄并进行表面微结构制作直径20-
500nm、间距100-1500nm、高度20-20
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