晶界层电容器的视在课件.pptVIP

按IEC准，陶瓷容器被分Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ共三大型。Ⅰ型陶瓷容器是容量随温度化定度高的容器，主要用于高振回路中，常被称高陶瓷容器。按照介常数高低，Ⅰ型陶瓷容器又可分低介高瓷与高介高瓷，其中，高介高瓷包括了高瓷、定高瓷。

Ⅱ型陶瓷容器以高介常数主要特征，其材料主体是具有型构的介磁料，其基本成主要有和弛豫体。介陶瓷的高介常数来源与材料中存在的自极化随外而呈的其介常数高达。由于介常数受温度影响很大，容器容量温度特性通常用在定温度范内的上、下极容量相于室温下的容量化百分比来表示。

用种材料制作的容器在率超一定范衰减幅度很大，因而主要用于低路或容量要求不大苛刻的中高路。最常的Ⅱ型陶瓷容器有以下几特性：Y5V、Y5U、X7R特性。

Ⅲ型陶瓷容器又被称半体陶瓷容器，它是一种利用特殊的微构（晶粒或瓷体半体，晶界或表面化）来取巨大的宏效益的高性能陶瓷容器，用于制作容器的主要材料有酸和酸。容器的构型主要有晶界（BLC）和表面阻（SLC）两种。晶界陶瓷容器具有介常数高（30000～50000），使用率（0～Hz），温度化率及介

耗相小的特点，种重要的性能使晶界容器于化子路、提高路工作率特性和温度适用范、改善整机性能具有重要作用，如容量温度化率在范之内、介耗小于的晶界容器，在技达国家被广泛用于各种高性能子器中。被晶界容器制作的小型大容量穿心容器用于源及微波路波接口，可增加各种人或自然的磁干型

号的抑制、消除功能，从而提高事子装的抗磁干能力。Ⅰ型陶瓷容器常用来表示温度每化1℃介常数的相化率，可用下式表示：

n1.Ⅰ型陶瓷容器瓷的分

n1.不同的原因有正、、零，取决于不同温度下点的极化程度，也决定于相温度下位体的点数。ua、TiO、CaTiO32ub、CaSnO、CaZrO33uc、BaO·4TiO2

naTiO、CaTiO有大的局部内23Ti4+高价、小半径→离子位移极化→大的局部内→子位移极化[TiO]八面体6Ei↑→ε很大

nbCaSnO、CaZrO等以离子位移极化主.33T↑→n↓（距离↑）→ε↓T↑→V↑（膨）→（r+r）↑→α（极化率）a+-按（r+r）↑↑→ε↑↑3+-

cBaO·4TiO2

n3.ε的数混合法(Lichtenecher公式)其中

于n相系：由以上法，在生践中，可用具有不同ε、α材料通改ii度比来得足各种温度系数要求的材料。如：由α+α0的瓷料得α≈0的瓷料。ε0εε

n4.离子价及防止措施原子的子排布：1s2s2p3s3p3d4s，4s的能比3d稍低，3d的子容易2262622失去，可Ti4+、Ti3+、Ti2+，可Ti4+易被原（Ti4++e→Ti3+=Ti4+·e[e-弱束子]）

l激活能低→0.82~0.84ev，可光上出的吸收，因而材料也就示出与吸收相的色。随着原程度的加，阳离子缺陷数增加，光吸收度加大，色加深深色。Ti4+→Ti3+的原因：l防止Ti4+→Ti3+的措施：l

Ti4+→Ti3+的原因：ua、气氛nub、高温分解：uc、高价（5价）：ud、化学老化

na气氛原气氛去TiO的O22-，使晶格出注意碳化硅作板：使Ti4+价

nb高温分解：

nc高价（5价）：=0.68A°，rr4+5+=0.69ATiNbrSb5+=0.62A°半径相近，5价离子取代Ti4+→取代固溶体→多余一个价子→

nd化学老化u金石瓷在使用程中，期工作在高温、高湿、直流下，表面、界面、缺陷活性大的O2-离子向正极迁移，到达正极后，氧分子向空气中逸出，留下氧空位，是不可逆程。u极在高温高湿、直流下，Ag－ε→Ag+，Ag迁移率大，入介向极迁移.+

防止Ti4+→Ti3+的措施：

BaTiO陶瓷的禁度3ev，因而室温阻3率很高(1011Ω.CM),然而在特殊情况下，BaTiO瓷可3形成n型半体，使BaTiO成半体陶瓷的方法及3程，称BaTiO瓷的半化，可以通一下几种3方法。n1．原子价控法（施主法）n2．制原法n3．AST法

n1．原子价控法（施主法）n在高（≥99．9％）BaTiO中入微量（＜0．3％mol＝的离3、子半径与Ba2+相近，价比Ba2+离子高的离子（如La3+、Sm3+Ce3+、Gd3+、Bi3+、Sb3+、Y3+、Dy3+）或离子半径与Ti4+相近而价比Ti4+高的离子，如Nb5+、Ta5+、Sb5+等，它将取代Ba2+或Ti4+位形成置固溶体，在室温下，上述离子离而成施主，向BaTiO提供子（使部分Ti4++e→Ti3+）,从而3ρV2下降（10Ω.CM），成半瓷。

n种半化方法往往用于生晶界容器，可使晶粒阻率很低，从而制得在介系数很高（ε＞20000