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第八讲半导体表面与MIS结构
8.4硅-二氧化硅系统的性质
硅-二氧化硅（Si-SiO）系统中的电荷和能量状态
2
+++
可动离子电荷：Na,K,H；
固定电荷：Si-SiO界面附近20nm，不能迁移；
2
界面态：Si-SiO界面处位于禁带中的能级或能带；
2
电离陷阱电荷：由各种辐射如X射线、γ射线、
电子射线引起。
1.SiO中的可动离子电荷
2+++
Na,K,H
化学试剂易于在SiO中迁移
2
++
Na来源玻璃器皿、高温器材Na特点
人体沾污发生漂移运动
降低钠离子的沾污方法：
①用超纯净的化学物质和器具；
②利用磷硅玻璃和硼硅玻璃等玻璃体钝化可动离子；
③淀积钝化层如氮化硅以阻挡钠离子等有害物的渗透等。
+
Na易迁移的原因
杂质在SiO中扩散时的扩散系数
2
1-Si四面体中心
E
DDexpa
2-填隙式正离子0kT
0
表观扩散系数杂质激活能
-62
硼：D3.010cm/s
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