固态成像装置、相机及制造固态成像装置的方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1716628A

(43)申请公布日2006.01.04

(21)申请号CN200510081390.0

(22)申请日2005.06.30

(71)申请人索尼株式会社

地址日本东京都

(72)发明人神户秀夫

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

代理人李晓舒

(51)Int.CI

H01L27/146

H01L31/10

H04N5/335

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

固态成像装置、相机及制造固态成

像装置的方法

(57)摘要

本发明提供一种能够抑制由工艺中

的金属污染所引起的晶体缺陷并能够抑制

暗电流从而提高量子效率的背照明固态成

像装置、含有其的相机及其制造方法，该

方法具有如下步骤：形成包括衬底、第一

导电类型外延层和第一导电类型杂质层的

结构，第一导电类型外延层形成在衬底上

并具有第一杂质浓度，而第一导电类型杂

质层形成在边界区中并具有比外延层的第

一杂质浓度高的第二杂质浓度；在外延层

中形成存储由光电转换所产生的电荷的第

二导电类型区；在外延层上形成互连层；

以及除去衬底。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

Claim1.一种制造固态成像装置的方法，包括步骤：

形成包括衬底、第一导电类型外延层和第一导电类型杂质层的结构，所述第一导电

类型外延层形成在包括吸集层的衬底上以具有第一杂质浓度，并且所述第一导电类

型杂质层形成在包括所述衬底与所述外延层的边界、一部分面对所述边界的所述衬

底以及一部分面对所述边界的所述外延层的边界区中以具有比所述外延层的所述第

一杂质浓度高的第二杂质浓度；

在所述外延层中形成存储由光电转换所产生的电荷的第二导电类型区；

在所述外延层上形成互连层；以及

除去所述衬底。

Claim2.如权利要求1中所阐述的制造固态成像装置的方法，其中，在形成所述

结构的步骤中，所述第一导电类型杂质层形成为具有其中杂质浓度从所述外延层侧

向所述衬底侧增加的浓度梯度。

Claim3.如权利要求2中所阐述的制造固态成像装置的方法，其中，在除去所述

衬底的步骤中，部分地除去形成在所述外延层中的所述第一导电类型杂质层的整个

表面。

Claim4.如权利要求1中所阐述的制造固态成像装置的方法，其中形成所述结构

的步骤包括步骤：

在所述衬底中形成所述吸集层；

在所述衬底中掺杂第一导电类型杂质；以及

在掺杂所述第一导电类型杂质之后，在所述衬底上形成所述外延层，

其中所述衬底中所掺杂的所述第一导电类型杂质在所述外延层中扩散从而在所述边

界区中形成所述第一导电类型杂质层。

Claim5.如权利要求1中所阐述的制造固态成像装置的方法，其中形成所述结构

的步骤包括步骤：

在所述衬底中形成所述吸集层；

在所述衬底上形成所述外延层；以及

在形成所述外延层之间或之后，在所述衬底中掺杂所述第一导电类型杂质，

其中所述衬底中掺杂的所述第一导电类型杂质扩散到所述外延层内部从而在所述边

界区中形成所述第一导电类型杂质层。

Claim6.如权利要求1中所阐述的制造固态成像装置的方法，其中，通过在所述

衬底中掺杂IV族元素形成所述吸集层。

Claim7.如权利要求6中所阐述的制造固态成像装置的方法，其中通过在所述衬

底中掺杂碳形成所述吸集层。

Claim8.如权利要求1中所阐述的制造固态成像装置的方法，还包括形成所述互

连层的步骤之后并在除去所述衬底的步骤之前，在所述互连层上形成支撑衬底。

Claim9.一种固态成像装置，其中第一导电类型外延层在其第一表面上形成有互

连层，并在所述外延层的第二表面处接收光，所述固态成像装置包括：

第二导电类型区，其形成在具有第一杂质浓度的所述外延层中并存储由光电转换所

产生的电荷，以及

第一