日盲紫外光电探测器全解课件.pptVIP

日盲紫外光探器1

什么是日盲紫外光探器？能紫外光射行接收和探的器件[1]紫外光波小于280NM[1]2

什么是日盲紫外光探器？3

理想日盲紫外光探器的特点1.于波于280nm的光没有响[1]2.量子效率和灵敏度比高[1]3.抗射性能和化学定性超[1]4.背景噪声比低[1]5.探区域广[1]4

日盲紫外光探器的制材料4H-SiC[1]MgZnO[1]GaN/AlGaN[1]5

4H一SIC4H一SIC：接隙,隙3.26eV[1]高熔点(28300C)[1]高性(4.9一SW/cm.k)[1]能在高温度和高能量下工作[1]光材料,量子效率很低,隙不可制[1]6

4H-SiC7

4H一SIC采用4H-SiC已成功制了肖特基光二极管、MSM光探器、PIN光探器和APD等[2]8

氧(MgZnO)具有匹配的晶底[4]生温度低(100一7500e)[4]隙可范(3.37一7.sev)[4]抗射能力（8）[4]成本低,原料丰富[4]利于制高性能的日盲紫外探器，MgZnO三元合金材料可以用在从200-370nm很的紫外光波段[4]9

氧(MgZnO)10

氧(MgZnO)11

氮化稼/稼氮(GaN/AIGaN)GaN特点：1.直接隙[3]2.的化学定性[3]3.抗射性[3]4.可隙[3]（3.44eV(GaN)--6.2eV(AIN)）12

氮化稼/稼氮(GaN/AIGaN)探器点：1.性能高[3]探从20Onm--300nm,暗流皮安(PA)--安,2.响速度快[3]缺点：1.生温度很高[3]2.没有合适的匹配底,P型生高量高AI度的AIGaN薄膜仍存在很大的困[3]13

氮化稼/稼氮(GaN/AIGaN)14

氮化稼/稼氮(GaN/AIGaN)GaN/AIGaN是目前制日盲紫外光探器的最好的材料,最广泛的用于隙半体紫外探器[3]目前取得了比好的果的国家美国，土耳其和西班牙[3]15

构MSMp-np-i-nAPDSAM16

MSM构MSM构分光型和肖特基型[5]光型工作原理：主要是利用光来制探器[5]光效：光照内部子束自由加外流增大17

MSM构肖特基型工作原理：1.偏2.紫外光照射大量子-空穴散或漂移运小的暗流高的信噪比适合用于制高性能的紫外探器18

MSM构19

MSM构20

MSM构点：1.MSM光探器在紫外波段响度高[5]2.肖特基型紫外光探器响大、噪声小、暗流低适合制作太阳盲探器和高速率器件[6]21

MSM构器件构示意[5]：22

P-I-N构工作原理[7]：加上VR反向偏，使形成和内建方向相同吸收大于等于Eg的入射光子激p、I和n区的价子，形成大量子－空穴作用使子和空穴分离中子向n区运，价空穴向p区运在器件两极上生光，在外路中形成光流，即将接收到的光学信号学信号出。23

P-I-N构特点：1.p区必很薄以提高短波紫外光的灵敏度[7]2.一般深很小，入射紫外光只能在I型被吸收并激子－空穴[7]3.I型的光生流子在下加速，渡越很短[7]4.常数的主要因素常数，恰当地路的阻是提高其率特性的关[7]24

P-I-N构点[7]：25

P-I-N构P-i-n构紫外光二极管管芯构[7]26

P-I-N构27

P-N构原理：半体的PN受到紫外光照[8]价子吸收能量大于或等于半体材料的禁的光子生自由子－空穴，即光生流子[8]子－空穴被分开并向相反的方向漂移；在耗尽区被收集，使得两[8]PN光二极管与外路通，子向n区漂移，空穴向p区漂移，从而在外路中生光生流[8]28

P-N构29

APD构工作原理：光探器的两极加高的偏[8]使区流子能得很大的能量[8]高能流子与晶格原子碰撞而使晶格原子生离，生新的子－空穴[8]新生的子－空穴在向极运程中又得足的能量，再次与晶格原子碰撞，又生新的子－空穴[8]生大量流子，使PN内流急倍增[8]30

APD构31

APD构32

APD构33

SAM构吸收区的度低，厚度可以很，在正常工作状下，吸收区将全部耗尽[8]提高器件的量子效率，又提高了器件的光响速度[8]倍增区可以很薄使此区的分布比均匀，在高可以生一的雪崩倍增，而器件的穿度在耗尽区度上的分[8]34

SAM构35

研究展的光射紫外光阴极在技上已比成熟,但也有一些研究机构或者公司在其行改,些改工作主要集中在提高阴极灵敏度,降低暗噪声等方面。[9]目前在光射紫外探器研制及生技方面于先的是德国Prox-itronic公司，其光阴极在254nm射灵敏度可达40mA/W,等效背景照度达到10-13W/m2[9]。子和AlGaN阴极成紫外探器研究的一个重要域,并且最近几年取得了巨大展[9]。加州大学伯克利分校和美国西北大学合所做的研究曾道:激活理的p型的A