集成电路理论知识试卷.pdfVIP

XXX职业技能鉴定中心题库

集成电路芯片制造工艺员XXX工理论知识试卷

称注意事项

名

位1、考试时间：120分钟。

单2、请首先按要求在试卷的标封处填写您的姓名、准考证号和所在单位的名称。

3、请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写您的答案。

4、不要在试卷上乱写乱画，不要在标封区填写无关的内容。

一二三四五总分统分人

得分3020201020

得分

评分人

名

一、填空题(第1～20题。请将正确答案填入题内空白处。每空0.5分，共30分。)

1.在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新

姓

的杂质补充，这种扩散方式称为：恒定表面源扩散；

2.对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容：逻辑单元符号库和

功能单元库、拓扑单元库、版图单元库。

3.在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫

划片槽。

4.全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含符号图、抽象图、

线路图和版图。

号

证5.半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是电子，另一种是空穴。

考

6.半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化

准

学组成可分为元素半导体、化合物半导体、固溶半导体三大类。

7.半导体材料的主要晶体结构有金刚石型、闪锌矿型、纤锌矿型。

8.抛光片的质量检测项目包括：几何参数：直径、厚度、主参考面、副参考面、平整度、

弯曲度等；电学参数：电阻率，载流子浓度，迁移率等；以及晶体质量，晶向，位错密度。

9.外延生长方法比较多，其中主要的有化学气相外延、液相外延、

金属有机化学气相外延、分子束外延、原子束外延、固相外延等。

区

10.离子注入是借其动能强行进入靶材料中的一个非平衡物理过程。

地

.

1

11.半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂离子加速到的需要的能量，

直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的退火处理。

试卷编码：000000000000000000

12.空气中的一个小尘埃将影响整个芯片的完整性、成品率，

并影响其电学性能和