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2.5DTSV封装结构热应力可靠性研究汇报人：2024-02-05

引言2.5DTSV封装结构概述热应力对2.5DTSV封装结构的影响2.5DTSV封装结构热应力可靠性研究方法实验设计与结果分析结论与展望contents目录

01引言

然而，2.5DTSV封装结构在热应力作用下的可靠性问题日益凸显，成为制约其广泛应用的关键因素之一。因此，开展2.5DTSV封装结构的热应力可靠性研究，对于提高其可靠性、推动电子封装技术的发展具有重要意义。随着电子封装技术的不断发展，2.5DTSV封装结构因其高集成度、高性能等优势而备受关注。研究背景与意义

国内外研究现状及发展趋势国内外学者针对2.5DTSV封装结构的热应力可靠性问题开展了大量研究，取得了一系列重要成果。目前，研究主要集中在热应力分析、热疲劳寿命预测、结构优化等方面。未来，随着新材料、新工艺的不断涌现，2.5DTSV封装结构的热应力可靠性研究将呈现出更多的发展趋势和研究热点。

本研究旨在建立2.5DTSV封装结构的热应力可靠性分析模型，揭示其在热应力作用下的失效机理和演化规律。通过对比分析不同材料、不同工艺参数对2.5DTSV封装结构热应力可靠性的影响，优化其结构和工艺设计。创新点包括：建立综合考虑多物理场耦合效应的2.5DTSV封装结构热应力可靠性分析模型；提出基于机器学习的2.5DTSV封装结构热疲劳寿命预测方法；通过实验验证和数值模拟相结合的手段，揭示2.5DTSV封装结构的失效机理和演化规律。本研究的主要内容与创新点

022.5DTSV封装结构概述

2.5DTSV封装技术的特点通过硅通孔（TSV）技术实现芯片之间的垂直互连，提高了封装密度和集成度。TSV技术降低了互连线长度和电阻，提高了电信号的传输速度和效率。采用堆叠方式将多个芯片集成在一个封装体内，有利于减小电子产品体积。通过批量生产和简化工艺流程，降低了单个芯片的成本。高密度集成优异电性能缩小体积降低成本

芯片硅通孔（TSV）微凸点封装基板2.5DTSV封装结构的基本组括逻辑芯片、存储器芯片等，是实现电子产品功能的核心部件。贯穿硅片的垂直导电通道，用于实现芯片之间的电气连接。位于芯片表面的金属凸点，用于与TSV或其他芯片进行电气连接。承载芯片并提供与外部电路连接的接口。

封装测试对封装体进行电气性能和可靠性测试，确保封装质量符合要求。芯片堆叠与键合将多个芯片按照设计要求堆叠在一起，并通过热压键合等方式实现芯片之间的牢固连接。微凸点制作在芯片表面制作微凸点，以便与其他芯片或TSV进行电气连接。芯片制备完成芯片的制造和测试，确保芯片功能正常。TSV加工在硅片上制作TSV，包括打孔、绝缘层沉积、导电层填充等步骤。2.5DTSV封装工艺流程

03热应力对2.5DTSV封装结构的影响

由于2.5DTSV封装结构中不同材料之间的热膨胀系数不匹配，在温度变化时会产生热应力。产生原因热应力会导致封装结构中的材料发生形变，进而产生应力集中和裂纹扩展等现象，严重影响封装结构的可靠性。作用机制热应力的产生原因及作用机制

热应力对封装结构可靠性的影响可靠性降低热应力会导致封装结构中的焊点、凸点等连接部位出现疲劳失效，从而降低整个封装结构的可靠性。性能退化热应力还可能导致封装结构中的芯片、电容等元器件发生性能退化，进而影响整个系统的性能。

热应力与温度场、应力场之间存在紧密的耦合关系，三者相互影响、相互制约。耦合关系温度场的影响应力场的影响温度场的变化会引起热应力的变化，而热应力的变化又会影响温度场的分布。应力场的存在会加剧热应力的作用，而热应力的变化也会影响应力场的分布和大小。030201热应力与温度场、应力场的耦合关系

042.5DTSV封装结构热应力可靠性研究方法

建模材料属性边界条件与载荷结果分析有限元仿真分析方法建立2.5DTSV封装结构的有限元模型，包括芯片、硅通孔、微凸点、重布线层等关键部分。施加适当的边界条件和温度载荷，模拟封装结构在工作过程中的热应力分布。定义模型中各材料的热膨胀系数、弹性模量、泊松比等参数，以模拟实际材料的力学行为。通过有限元仿真得到封装结构的热应力分布云图、变形图等，评估其可靠性。

制备2.5DTSV封装结构样品，包括芯片堆叠、硅通孔填充、微凸点焊接等关键工艺步骤。样品制备实验设备实验方案结果分析搭建热应力测试平台，包括加热装置、冷却装置、位移传感器等。设计不同温度循环条件下的热应力测试方案，模拟封装结构在实际工作过程中的热应力变化。通过实验测试得到封装结构的热应力数据，与仿真结果进行对比验证。实验测试方法

分析2.5DTSV封装结构在热应力作用下的失效模式，如界面开裂、硅通孔断裂等。失效模式分析研究失效模式的产生机理，包括热应力集中、材