放大器的基本原理晶体二极管课件.pptVIP

第二章放大器的基本原理第一节晶体二极管一、半导体的导电特性：

二、PN结及其单向导电性：1、PN结的形成：扩散→复合→空间电荷区→内电场E→漂移运动→扩散=漂i移（动态平衡）→耗尽层→PN结。2、PN结的导电特性：（1）正向（偏置）：外加正向电压（正向偏置）（P区接正，N区接负）→削弱内电场→空间电荷区变窄→扩散大于漂移→形成大的正向电流，电阻小→称正向导通。

（2）反向（偏置）：外加反向电压（反向偏置）（P区接负，N区接正）→加强内电场→空间电荷区变宽→漂移大于扩散→反向电流很小，电阻大→称反向截止。结论：PN结正向导通，反向截止，即为单向导电性。

三、晶体二极管及其特性：1、结构与符号：2、伏安特性：

3、参数：（1）最大整流电流：（2）反向工作峰值电压：（3）反向峰值电流：（4）最高工作频率：

四、特殊二极管：1、稳压二极管：（1）符号及性质：（2）参数：2、变容二极管：（1）符号及性质：（2）应用：

3、光敏二极管：（1）符号及性质：（2）应用：4、发光二极管：（1）符号及性质：（2）应用：

第二节晶体三极管一、晶体三极管（晶体管）的结构和符号：NPN型,PNP型．“三区三极两结”元件．构造特点：（１）发射区面积小，掺杂浓度高；（２）基区极薄，掺杂浓度低；（３）集电区面积大，掺杂浓度略高；

二、晶体三极管的放大作用：1、三极管放大的偏置条件：发射结正偏，集电结反偏。

2、三极管的放大作用（1）三种接法：（a）共发射极接法（b）共基极接法；（c）共集电极接法

（2）电流放大的物理过程：（a）发射区向基区发射电子：（b）电子在基区中扩散与复合：（c）集电区收集电子：3、说明两点：(1)放大输入信号；（2）能量来自电源。

一、晶体三极管的特性曲线：

（1）放大区：输出曲线的近于水平部分．发射结正偏，集电结反偏，三极管导通，有放大作用。

（2）截止区：I＝０的一条曲线与横轴之间B的区域．两个PN结均为反偏。

（3）饱和区：输出曲线的直线上升和弯曲部分的区域．两个PN结均为正偏。

四、晶体三极管的主要参数：

3、极常参数：

第三节基本放大电路一、放大电路的基本概念1、放大电路的基本组成：

二、基本放大电路极其工作状态分析：1、基本放大电路：（1）共发射极放大电路的组成：各元件作用：（2）工作过程：u↑→i↑→i↑→u↓→iBCCEu0↓.（3）结论：共发射极放大器的二作用：（a）放大作用（b）反相作用.

2、放大器的静态工作点：静态点（Q）：U,I,U,I.BEBCEC

方法二：图解法。一般步骤：①给出输出曲线；②作出直流负载线；③求出偏流I；④B得出静态点；⑤找出Q.

3、放大电路的动态分析：（1）概念：静态：动态：交流通路：

（2）动态分析过程：①交流信号传输流程：U(即u)→i→i→u(即u).ibebcoce

②电压和电流均含有直流分量和交流分量．即

③交载线：通过Q且斜率为-1/RL′的直线。④ui与uo反相：

4、放大器的非线形失真：失真：产生原因：截止失真(Q太低）：饱和失真(Q太高）：非线形失真：

三、放大电路性能指标的计算：（一）晶体管的微变等效电路：1、图解法优缺点：2、微变等效电路：3、分析：①输入回路：可用一只电阻r等效be代替：

②输出回路：可等效一个恒流源，大小i=βib.c

4、结论：由电阻和电流源的线形元件所组成的等效电路称三极管的微变等效电路。5、条件：①低频；②小信号。

（一）用微变等效电路计算放大器性能指标：

四、静态工作点稳定电路1、电路改进原因：固定偏置电路受温度影响大→分压式偏置电路。2、分压式偏置电路分析：

(c)结论：满足以上二条件．使Q稳定.(3)元件作用：RR分压电阻B1、B2（分压）；R负反馈电阻（电流E负反馈）；C发发射极交流旁路E电容（减小交流成分）

五、多级放大电路１、目的：获得足够大的电压幅值（或功率）以推动负载工作。２、耦合方式：阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。３、阻容耦合优缺点：４、用途：

５、多级放大电路分析：（１）放大倍数：（２）输入阻抗和输出阻抗：输入阻抗即第一级电路的输入阻抗．输出阻抗即最后一级电路的输出阻抗．

（３）相位关系：（奇数级反相，偶数级同相）（４）通频带：变窄．静态工作点：因隔直电容使各级静态工作点相互独立，故各级静态值分别按单级电路计算．