电子技术中常用半导体器件.pptx

电子技术中常用半导体器件;年9月;第6章电子技术中常见半导体器件;物质按导电能力不一样可分为导体、半导体和绝缘体3类。日常生活中接触到金、银、铜、铝等金属都是良好导体，它们电导率在105S·cm-1量级；而像塑料、云母、陶瓷等几乎不导电物质称为绝缘体，它们电导率在10-22~10-14S·cm-1量级；导电能力介于导体和绝缘体之间物质称为半导体，它们电导率在10-9~102S·cm-1量级。自然界中属于半导体物质有很各种类，当前用来制造半导体器件材料大多是提纯后单晶型半导体，主要有硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓（GaAs)等。;（1）经过掺入杂质可显著地改变半导体电导率。比如，室温30°C时，在纯净锗中掺入一亿分之一杂质（称掺杂），其电导率会增加几百倍。

（2）温度可显著地改变半导体电导率。利用这种热敏效应可制成热敏器件，但另首先，热敏效应使半导体热稳定性下降。所以，在半导体组成电路中常采取温度赔偿及稳定参数等办法。

（3）光照不但可改变半导体电导率，还能够产生电动势，这就是半导体光电效应。利用光电效应可制成光敏电阻、光电晶体管、光电耦合器和光电池等。光电池已在空间技术中得到广泛应用，为人类利用太阳能提供了辽阔前景。;由此能够看出：半导体不但仅是电导率与导体有所不一样，而且具备上述特有性能，正是利用这些特征，使今天半导体器件取得了举世瞩目标发展。;当半导体温度升高或受到光照等外界原因影响时，一些共价键中价电子因热激发而取得足够能量，因而能脱离共价键束缚成为自由电子，同时在原来共价键中留下一个空位，称为“空穴”。;在纯净硅（或锗）中掺入微量磷或砷等五价元素，杂质原子就替换了共价键中一些硅原子位置，杂质原子四个价电子与周围硅原子结成共价键，剩下一个价电子处于共价键之外，很轻易摆脱杂质原子束缚被激发成自由电子。同时杂质原子因为失去一个电子而变成带正电荷离子，这个正离子固定在晶体结构中，不能移动，所以它不参加导电。

杂质离子产生自由电子不是共价键中价电子，所以与本征激发不一样，它不会产生空穴。

因为多出电子是杂质原子提供，故将杂质原子称为施主原子。;不论是N型半导体还是P型半导体，即使都有一个载流子占多数，但晶体中带电粒子正、负电荷数相等，依然呈电中性而不带电。;正负空间电荷在交界面两侧形成一个由N区指向P区电场，称为内电场，它对多数载流子扩散运动起阻挡作用，所以空间电荷区又称为阻挡层。同时，内电场对少数载流子起推进作用，把少数载流子在内电场作用下有规则运动称为漂移运动。;空间电荷区;少子

漂移;扩散运动和漂移运动相互联络又相互矛盾，扩散使空间电荷区加宽，促使内电场增强，同时对多数载流子继续扩散阻力增大，但使少数载流子漂移增强；漂移使空间电荷区变窄，电场减弱，又促使多子扩散轻易进行。;3.PN结单向导电性;;;2.半导体在热（或光照等）作用下产生电子、空穴对，这种现象称为本征激发；电子、空穴对不停激发产生同时，运动中电子又会“跳进”另一个空穴，重新被共价键束缚起来，这种现象称为复合，即复合中电子空穴对被“吃掉”。在一定温度下，电子、空穴正确产生和复合都在不停地进行，最终处于一个平衡状态，平衡状态下半导体中载流子浓度一定。;6.2半导体二极管;2.二极管伏安特征;普通二极管被击穿后，因为反向电流很大，普通都会造成“热击穿”，热击穿不一样于齐纳击穿和雪崩击穿，这两种击穿不会从根本上损坏二极管，而热击穿将使二极管永久性损坏。;讨论;稳压二极管是一个特殊面接触型二极管，其实物图、图符号及伏安特征如图所表示：;注意：;2.发光二极管;6.4双极型三极管;由两块N型半导体中间夹着一块P型半导体管子称为NPN管。还有一个与它成对偶形式，即两块P型半导体中间夹着一块N型半导体管子，称为PNP管。晶体管制造工艺上特点是：发射区是高浓度掺杂区，基区很薄且杂质浓度底，集电结面积大。这么结构才能确保晶体管含有电流放大作用。;结论：

三极管是一个含有电流放大作用模拟器件。;晶体管电流放大原理：;6.4.3晶体管特征曲线;（1）放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置;6.4.4晶体管主要参数;学习与探讨;6.5单极型三极管;1.MOS管基础结构;绝缘栅型场效应管中，当前常见是以二氧化硅SiO2作为金属铝栅极和半导体之间绝缘层，简称MOS管。它有N沟道和P沟道两类，而每一类又分增强型和耗尽型两种。所谓增强型就是UGS＝0时，漏源之间没有导电沟道，即使在漏源之间加上一定范围内电压，也没有漏极电流；反