第12章-光刻：掩膜-光刻胶和光刻机(课件).pptVIP

第十一章

光刻

;光刻是一种图象复印的技术，是集成电路制程中一项关键的工艺技术。在整个工艺流程中，光刻的步骤占到50％以上，其成本占总制造成本的1/3以上。;简单的说，光刻就是用照相复印的方法，将掩膜版上之图形精确地复印到涂在硅片表面的光致抗蚀剂（Photoresist）（下面统称光刻胶）上面，然后在光刻胶的保护下对硅片进行离子注入，刻蚀，薄膜淀积等各种工艺。

;11.1光刻工艺的8个基本步骤;后烘;

一．成底膜处理（HMDSCoating）;亲水性表面;;分滴;SVG90涂胶台;;前烘条件的选取，对光刻胶的溶剂挥发量和光刻胶的粘附特性，曝光特性，显影特性以及线宽的精确控制都有较大的影响。

没有经过前烘的可能后果：

光刻胶薄膜发黏，容易受到颗粒沾污。

旋转涂胶的内在应力将导致粘附性问题。

溶剂含量过高导致显影时溶解差异，难以区分曝光和未曝光的光刻胶。

溶剂在曝光时受热挥发，沾污光学系统透镜。

;前烘设备;四.对准与曝光;简单光学曝光系统示意图;在光学光刻中常用的UV波长;传统的三种曝光方式;接触式曝光机---Canon501;Canon600Scanner;;;浸没式;喷流式;TELACT-8光刻

胶涂覆和显影系统;七.坚膜烘焙（HardBake）;八.显影后检查（Inspection）;工艺线直击——光刻过程;11.2掩模版（Photomask）;掩膜版的材料;光学工程师将用户数据转换为写入系统所能接受的格式。包括数据分割，尺寸标记，图形旋转，增加套刻标记，内部参照标记，以及一个jobdeck（掩膜上不同图形的位置的说明）。

;掩膜版上用于Stepper对准的套刻标记;反之，则粘度小，胶膜薄。

在光刻版上进行图形修正，来补偿衍射带来的光刻图形变形

光刻胶越浓，它的粘度就越大，在相同的涂胶条件下，所得的胶膜就越厚；

sprayingontherotatingwafer(hundredsrpm.

（3）涂层表面无尘埃，碎屑等颗粒。

光刻胶胶膜必须保持它的粘附性，并在后续的湿刻和干刻中保护衬底表面。

S为感光度，h为比例常数，E为最小曝光量。

所以保证转移到光刻胶膜上的图形尺寸完全符合设计要求，就需要在光刻工艺的各道工序中找出最佳的工艺条件。

PAGgeneratesH+byh?energy,H+diffusesbyHeating(PEB)toresistinside

Canon600Scanner

数值孔径，焦深，分辨率的公式

TELACT-8光刻

利用Fresnel近场衍射理论计算的间隔范围：

溶剂含量过高导致显影时溶解差异，难以区分曝光和未曝光的光刻胶。

工艺线直击——掩膜版制备

造成失准的原因可能是：

Canon600Scanner

曝光过程中，光刻胶中的PAC分解产生催化剂，在后烘加热的过程中，催化剂引起正胶的降解反应或负胶的交联反应，使得曝光部分的光刻胶可以溶解于显影液（正胶），或不溶于显影液（负胶）。

CollimatorLens

R=365nm

光刻胶分为两大类：正性光刻胶和负性光刻胶。

没有经过前烘的可能后果：

(1)光刻设备的对准系统状态发生变化；

UVExposure

Rearrangement;掩膜版的制备;;掩模版制作过程;掩膜版缺陷;一些典型的掩模板缺陷;工艺线直击——掩膜版制备;先进掩膜概念;onwafer;调制传输函数（MTF）;

与尺寸有关;光学光刻分辨率增强技术(RET);OPC实例;光学临近效应修正（OPC）;S是描述曝光的矩阵，包含所有光学系统的信息。理想的S是一个单位矩阵，实际上S包含了对应图形畸变的非对角线因素。

OPC的工作就是求出S-1，如果确定了S-1，用它作用于原来的掩膜，就可以得到一块新版M’。

M’＝S-1M

然后W＝SM’＝SS-1M=M;11.3光刻胶（Photoresist，PR）;;;溶剂（solvent）：使光刻胶保持液体状态。绝大多数的溶剂在曝光前挥发除去，对光刻胶的化学性质几乎没有影响。

添加剂（additive）：用来控制和改变光刻胶材料的特定化学性质或光刻胶材料的光响应特性，也包括控制光刻胶反射率的染色剂。;;i-Line光刻胶曝光反应机理;深紫外光刻胶曝光反应机理;;;;;;光刻胶对比度曲线;理想光刻胶－理想曝光;临界调制传输函数（CMTF）;七.抗蚀性;;相比较，正胶有较高的分辨率，较强的抗干法腐蚀能