集成电路封装材料-靶材.pptxVIP

靶材;物理气相沉积（PhysicalVaporDepositionPVD:是一种薄膜制造技术，指在真空条件下，采用物理方法使原材料（固体或液体）表面逸出分子或离子或汽化为气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或高能速流）在待沉积样品表面沉积具有某种成分的薄膜的技术。

PVD中，只有物质相的变化而没有化学反应过程，一般包括真空蒸发、溅射、离子镀等多种工艺方法。

;图8-1溅射示意图;溅射（Sputtering）是PVD薄膜制造技术的一种，利用离子源产生离子[溅射用的轰击粒子（离子）通常是带有正电荷的惰性气体离子，在实际应用过程中多采用氩离子]，在高真空中经过加速聚焦等过程，形成具有高速的离子束流，高速离子束流轰击固体表面，离子和固体表面原子碰撞并发生能量和动量的转移，固体表面的原子从固体材料中逸出沉积在衬底材料的表面。

被轰击的固体即溅射工艺在待溅射晶圆上沉积各种金属薄膜的原材料，也就是靶材料，称为溅射靶材。;集成电路制造工艺中，溅射工艺和电镀工艺均适用于金属薄膜的制造。

溅射工艺制造的金属薄膜密度高、纯度高，而且厚度的一致性好，但成本高，沉积效率低，一般用于厚度在亚微米级以下的薄膜的制造。

溅射工艺有衬底材料温度低（残余应力低）、薄膜纯度高、薄膜组织结构致密、薄膜与衬底材料结合强度高、薄膜重复性和厚度一致性好及成膜效率高（面积大）等优点，是集成电路制造工艺过程中制造薄膜材料的主要技术之一。

;;溅射靶材由靶坯、背板组成。

靶坯是指高速离子束流轰击的的目标材料，属于溅射靶材的核心成分。

溅射设备工作环境一般为高电压、高真空，为防止装配过程中对靶坯的机械破坏和污染，同时为更换靶材方便，靶坯通常要整体焊接在背板上。

背板的作用是固定和保护靶坯，同时不给靶坯造成污染，背板需要具备良好的机械强度及导电、导热性及高温稳定性，通常用铜、钛这样的金属。;目录;互连凸点的凸点下金属层及互连金属（Al,Cu）、用于圆片级封装的再布线层的布线层（Cu）下的金属层结构和硅通孔及凸点电镀的种子层等金属薄膜都需要溅射工艺来制造，溅射靶材是???成电路先进封装中非常重要的金属薄膜原材料。

供应商：比利时的优美科集团（Umicore）、E-ChemMaterion、日本东曹株式会社（TOSOH），以及中国有研亿金新材料股份有限公司（Grikin）、宁波江丰电子材料股份有限公司（KFMI）等。;凸点下金属层是凸点金属和芯片焊盘之间的连接层，功能上考虑，至少需要包括黏附层（AdhesionLayer）、扩散阻挡层（BarrierLayer）、浸润层（WettingLayer）、和抗氧化层（OxidationResistanceLayer）等四层结构。;8.2溅射材料类别和材料特性;黏附层要求与铝焊盘及钝化层（一般为PI）间具有较好黏附性，与铝焊盘接触电阻小，同时满足热膨胀系数接近铝。Cr,Ti,TiW(N),V等。

扩散阻挡层要求能有效阻止凸点材料与铝焊盘、硅衬底材料等之间的相互扩散，避免凸点材料进入铝焊盘，形成不利的金属间化合物。Ti,TiW(N),Ni,Cu,Pd,Pt等。

浸润层要求能和凸点材料良好浸润，同时能作为凸点的种子层，在键合或焊接时不会与凸点材料形成不利的金属间化合物。Au,Ni,Cu。

抗氧化层是凸点下金属层最外层的一层很薄的金属层，用来保护黏附层、扩散阻挡层及浸润层的金属不被氧化和污染，一般选用Au。;硅通孔种子层材料一般需要和电镀层材料一致，选用Cu，由于Cu和SiO2间的黏附强度差，制造种子层前一般要先沉积一层黏附/扩散阻挡层，以防止Cu扩散、增加种子层与衬底的黏附力和提高深孔的台阶覆盖效果。黏附/扩散阻挡层一般选用Ti,TiW,Ta,TiN,TaN等。

再布线层的布线层下的金属层结构和凸点下金属层的结构要求基本相同，至少要求黏附层和扩散阻挡层的功能。;材料;溅射靶材质量直接决定金属薄膜质量，对溅射靶材的基本要求包括高纯度、低杂质含量（尤其是N,O,C,S等对集成电路元器件有害的杂质）、高密度（致密度）、高成分与组织的均匀性、低缺陷性、高平整性及合适的靶材尺寸。

纯度至少4N。

靶材尺寸越大，薄膜均一性越好，成本也越高。

进一步要求：表面粗糙度、电阻值、晶粒度与结晶取向，杂质（氧化物）含量和尺寸、磁导率、超高密度与超细晶粒等的控制。;靶材制造中要考虑尺寸与主流溅射设备供应商，应用材料（AppliedMaterials）、爱发科株式会社（ULVAC）、SPTSTechnologies、北方华创科技集团有限公司（北方华创）等生产溅射设备。

按靶材材料生产制造工艺分，溅射靶材制造方法包括熔融铸造法和粉末冶金法。;8.2溅射材料类别和材料特性;熔融铸造法制造溅