(高清版)B-T 41853-2022 半导体器件　微机电器件　晶圆间键合强度测量.pdfVIP

ICS31.080.99

CCSL55

中华人民共和国国家标准

GB/T41853—2022/IEC62047-9:2011

半导体器件微机电器件

晶圆间键合强度测量

Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—-

Wafertowaferbondingstrengthmeasurement

(IEC62047-9:2011,Semiconductordevices—-

Micro-electromechanicaldevices—Part9:Wafer

towaferbondingstrengthmeasurementforMEMS,IDT)

2022-10-12发布2022-10-12实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T41853—2022/IEC62047-9:2011

目次

前言Ⅲ

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4测量方法1

4.1总则1

4.2目测法1

4.3拉力测试法2

4.4双悬臂梁测试法4

4.5静电测试法6

4.6气泡测试法7

4.7三点弯曲测试法9

4.8芯片剪切测试法12

附录A(资料性)键合强度示例15

附录B(资料性)三点弯曲测试法试样的制作工艺示例16

参考文献17

I

GB/T41853—2022/IEC62047-9:2011

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件等同采用IEC62047-9:2011《半导体器件微机电器件第9部分：MEMS的晶圆间键合

强度测量》。

本文件增加了“术语和定义”一章。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动：

a)为与现有标准协调，将标准名称改为《半导体器件微机电器件晶圆间键合强度测量》;

b)纳入IEC62047-9:2011/COR1:2012的修改内容，所涉及的条款的外侧页边空白位置用垂直

双线(Ⅱ)进行了标示；

c)纠正了IEC62047-9:2011原文的错误：第2章中ISO6892-1:2009和ASTME39