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1.2.1电光调制器的理论基础晶体的电光效应：如果在晶体中沿某一方向加一定电压，则晶体的折射率要发生相应的改变，因而晶体的双折射特性也要改变电场→晶体束缚电荷重新分布→介电常数变化→晶体离子晶格微小形变→γ,h为常数线性电光效应,泡克耳斯(Pockels)效应二次电光效应,克尔(Kerr)效应1、电致折射率变化（折射率椭球）未加电场：加电场后：以KDP晶体为例：可见,KDP晶体沿Z轴加电场时,由单轴晶体变成了双轴晶体,折射率椭球的主轴绕Z轴旋转了45°角,此转角与外加电场的大小无关,其折射率变化与电场成正比,上面的⊿n值称为电致折射率变化.这是利用电光效应实现光调制,调Q,锁模等技术的物理基础.x’、y’、z’叫感应主轴2、电光相位延迟电光相位延迟的应用通过测量半波电压,计算材料的电光系数半波电压与波长的关系3、光偏转态的变化1.2.2电光强度调制施加在晶体上的电场在空间上基本是均匀的,但在时间上是变化的,当一束光通过晶体以后,可以使一个随时间变化的电信号转换成光信号,由光的强度或相位变化来体现要传递的信息.→纵向、横向、行波强度调制施加在晶体上的电场在空间上有一定的分布,形成电场图像,即随x和y坐标变化的强度透射率或相位分布,但在时间上是不变或者缓慢变化的,从而对通过的光波进行调制.→空间光调制1、纵向电光调制器KDP晶体纵向运用：加场的方向和通光的方向都沿z方向。1.纵向运用的结构和原理由此可见,一般情况下,调制器的输出特性与外加电压的关系是非线性的.(1)当晶体加以直流电压VD时：获得线性调制的方法1,在调制晶体上除了施加信号电压外,再附加一个Vλ/4的固定偏压;缺点,增加电路的复杂性,工作点的稳定性也差2,在调制器的光路上插入一个1/4波片,其快慢轴与晶体主轴X成45角,从而使Ex′﹑Ey′二分量间产生π/2的固定位相差.纵向电光调制器的优点结构简单,工作稳定不存在自然双折射的影响纵向电光调制器的缺点半波电压太高,功率损耗大2、横向电光调制器 加场的方向和通光方向垂直三种方式（电场方向1，通光方向与2、3轴成45°）现以KDP类的第一种运用方式为例进行讨论Z方向加电压，晶体出射两光波的相位差：KDP晶体横向电光调制器的主要缺点是存在着自然双折射引起的相位延迟解决办法将两块几何尺寸几乎完全相同的晶体的光轴互成90°串接排列两块晶体的z轴和y′轴互相反向平行排列,中间放置一块1/2波片.消除自然双折射的结构：LN(LiNbO3)晶体的横向运用KDP晶体的横向运用方式，其主要缺点是由于自然双折射的影响，造成了相位延迟，稳定性差，采取组合器的结构，虽然能消除自然双折射的影响，但却使结构复杂，加工困难。采用LN晶体的横向运用，既没有自然双折射的影响，又能降低半波电压，所以目前一般采用LN作横向运用晶体。LN的最大缺点是光损伤功率密度低不能用于大功率密度的激光器。1.2.3电光相位调制器 相位调制即是用调制讯号的规律来改变激光振荡的相位角。 相位调制器的结构2.相位调制的频谱 相位调制的结果，总相位是时间的函数，也使光的频率变化，频率是总相位角的导数。(1)当m?1时(2)当m?较大时光电信息学院电光调制：强度调制，相位调制1.KDP纵向运用，KDP，LN横向运用2.电光调制器的电学性能1.2电光调制折射率椭球系数的变化量：晶体加电场后的折射率椭球取电场的方向平行于Z轴寻求新的坐标系新旧的坐标系的变换关系线性电光系数：其矩阵形式由晶体宏观对称性决定加电场后椭球的形变折射率椭球的截面折射率方程不同偏转光的相位延迟两偏转分量间的相位延迟晶体的半波电压当晶体上未加电场时：当晶体上加了电场(Vλ/4)时：当晶体上加了电场(Vλ/2)时：用途：相当于加玻片，光波偏振态变换器→光的透过率Iout/Iin和VD的曲线不是线性关系，易发生畸变,在V?/2附近有一段近似线性部分，波形畸变小。电光调制特性曲线总的相位差：调制器的透过率：高次谐波与基频波成分的比值：线性调制的判据：横向电光调制示意图第一项是与外加电场无关的晶体本身的自然双折射引起的相位延迟，这一项对调制器的工作没有作用，相反，当晶体温度变化时会增加附加的相位差，造成?随温度变化，工作不稳定，必须消除这种影响。第二项是外加电场作用产生的位相差。不仅与V有关，而且与晶体