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数字CMOS集成电路设计基础

4.1.2静态CMOS反相器——转换阈值及噪声容限

4.1.2静态CMOS反相器——转换阈值及噪声容限

在以上的定性讨论中我们简述了静态CMOS反相器电压传输特性的概貌，并推导了V和V的

OHOL

值——它们分别估计为V和GND。接下来要确定V，V和V以及噪声容限的精确值。

DDMIHIL

开关阈值

开关阈值V定义为V=V的点，其值可以用图解法由VTC与直线V=V的交点求得。在这一

Minoutinout

区域由于V=V，PMOS和NMOS总是饱和的。使通过两个晶体管的电流相等就可以得到V的解

DSGSM

析表达式。我们求解的情形是电源电压足够高，所以这两个器件可以被假设为都处于速度饱和(即

VV-V)。同时我们忽略沟长调制效应，于是有:

DSATMT

求解V得：

M

V值较大时可简化为：

DD

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开关阈值

开关阈值取决于比值r，它是PMOS和NMOS管相对驱动强度的比。一般希望V处在电压摆

M

幅的中点（即V/2处）附近，因为这可以使低电平噪声容限和高电平噪声容限具有相近的值。

DD

为此要求r接近1，这相当于使PMOS器件的尺寸为：

为使V上移，要求r的值较大。反之提高NMOS的强度将使开关阈值趋近GND。

M

可以推导出使开关阈值等于所希望的值V时所要求的PMOS和NMOS管的尺寸:

M

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开关阈值

思考题5.1针对长沟道器件或低电源电压的反相器开关阈值

上面的表达式是在假设晶体管达到速度饱和的前提下推导的。当PMOS和NMOS为长沟道器

件或电源电压较低时不发生速度饱和（即V-VV）。此时V的计算式如下：

MTDSATM

在设计静态CMOS电路时，若希望使噪声容限最大并得到对称的特效，建议

使PMOS部分比NMOS部分宽以均衡晶体管的驱动强度。

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例5.1CMOS反相器的开关阈值

V对于器件比值的变化相对来说是不敏感的。

M

增加PMOS宽度使V移向V。

MDD

增加NMOS宽度使V移向GND。

M

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回顾噪声容限噪声最大固定阈值：

不确定区