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晶圆清洗材料;主要指光刻胶的剥离液
光刻胶在先进封装中的主要作用是在晶圆上实现图形化。光刻胶经过曝光、显影、刻蚀等一系列工艺，将微细图形从掩模版上转移到晶圆上，以形成绝缘层、再布线层、金属层等结构。
图形化后，晶圆上会残留作为掩模板使用的光刻胶，以及光刻胶与刻蚀气体反应所形成的光刻胶变质层，此外还有被刻蚀材料裸露出来的侧壁上残留的保护沉积膜。
剥离（Strip）工艺进行完全清除干净，才能进入下一项工序，同时保证其他材料不被破损。
指标：去胶能力、缺陷控制、关键尺寸、金属离子污染等指标;目录;去除光刻胶方式：干法剥离和湿法剥离。干法剥离主要用于晶圆前道工艺，湿法剥离主要用于中道及后道工艺。
干法剥离即灰化方法，是指用处于等离子体形态的氧气等对残留在晶圆表面的光刻胶进行反应刻蚀，常用于去除光刻胶及其变质层。
在等离子体等高能束流轰击下，光刻胶表面反应生成大量的热量使其固化，同时会由于爆裂产生一种光刻胶的残余物。;在灰化过程中，晶圆被加热到200oC以上，光刻胶中的溶剂被耗尽，固化层覆盖在光刻胶上表面。仅采用干法剥离的方法不能将晶圆上的光刻胶及其变质层的灰化物完全去除。
灰化处理后，需要配合湿法剥离的方法对残留物进一步去除。;湿法剥离：是指用特定的化学药品（光刻胶剥离液）使光刻胶溶解，由此实现对晶圆上光刻胶残留物的剥离。
光刻胶残留物包括布线及晶圆表面上残留的不完整的灰化物、布线及通孔侧壁残留的聚合物、通孔侧壁及底面残留的有机聚合物和金属氧化物等。;湿法剥离分为两种方式：浸渍剥离和喷淋剥离。
浸渍剥离是指将晶圆放置于清洗篮中，然后浸入剥离液中，在高温下实现光刻胶的去除。很多企业采用。
但经过高温反复浸泡的过程，光刻胶残留物不断增加，这些残留物在流动的状态下与空气接触会发生起泡现象，不仅影响去胶效果，而且影响去胶操作，对生产安全造成不良影响并可能产生严重后果。
添加消泡剂。;喷淋剥离是指首先采用低温喷嘴将剥离液均匀喷洒至晶圆表面，将光刻胶浸润、软化，并使光刻胶膨胀；
然后通过高压喷嘴喷出的剥离液击打已被软化的光刻胶，将光刻胶击碎、分解，形成微胞；
最后用正常中低压喷洒清洗，用较洁净的药液置换脏污的药液，从而洗净晶圆表面残留的光刻胶，并降低剥离液内光刻胶的含量，防止光刻胶回黏在晶圆上。;残留的光刻胶会影响电路的导电性，造成产品失效。清洗质量，特别是高温或高能条件下，发生交联化学反应及化学变化后的光刻胶残留物的剥离效果，将直接影响后续制程的操作，成为影响芯片良率及产能的重要因互。
对光刻胶要求：进一步提高对光刻胶残留物的剥离效果，并要求对不同的金属层有良好的防腐效果，还要求对人体和环境危害小、便于操作等。;四代主流产品：
溶剂类光刻胶剥离液
胺类光刻胶剥离液
含氟类半水性光刻胶剥离液
过氧化氢类水性光刻胶剥离液;1）溶剂类光刻胶剥离液
20世纪70到80年代，通常使用酚醛树脂类的G线光刻胶进行图形化，湿法刻蚀后光刻胶可以保持完好。
光刻胶剥离液在这一阶段的要求是高效去除有机大分子。
溶剂类光刻胶剥离液是不含水的，其中的有机胺组分具有对光刻胶骨架聚合物的裂解能力，有机溶剂NMP（N-甲基吡咯烷酮）、DMSO（二甲亚砜）等组分基于相似相溶原理可以溶解去除光刻胶中的有机残留物。
;1）溶剂类光刻胶剥离液
典型产品包括ACT的CMI系列，Avantor的PRS3000，杜邦EKC的EKC830等。
溶剂类光刻胶剥离液的操作温度一般高于80oC，部分操作温度会达到闪点以上。目前，该类光刻胶剥离液仍占有一定的一定的市场份额。
闪火点，又叫闪点，是材料或制品与外界空气形成混合气与火焰接触时发生闪火并立刻燃烧的最低温度。表示材料或制品的蒸发倾向和受热后的安定性。
;2）胺类光刻胶剥离液
湿法刻蚀具有各向同性的刻蚀特性，随着集成电路特征尺寸不断减小，湿法刻蚀工艺已经不能满足高集成度布线的要求，因此干法刻蚀工艺的应用越来越普遍。
干法刻蚀工艺利用其各向异性的刻蚀特性形成金属线通孔结构，采用氩气离子束轰击光刻胶及其他非介电质材料，发生高度交联后的晶圆表面形成光刻残留物。
由于离子束流轰击的反溅作用，在侧壁会附着富含金属的材料。加之干法工艺的使用，光刻胶残留物中会含各种有机和无机的氧化物及金属化合物。
光刻胶剥离液需要同时具备对各类有机物、无机物及金属交联等形成的残留物的去除能力。;2）胺类光刻胶剥离液
20世纪90年代中期，杜邦EKC的WaiMunLee博士团队成功研发的羟胺类光刻胶剥离液，典型产品包括EKC265、EKC270及EKC270T。
同一时期，VersumMaterials（ACT）的ChipWard博士团队成功出同类光刻胶剥离液，典型产品包括ACT930、ACT935及ACT940，适用于湿法工艺，操作温度范围是65~75oC，并具有对
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