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光刻-光刻胶显影和先进的光刻技术

目的如何对光刻胶进展曝光后烘培以及原因描绘光刻胶的正负胶显影工艺列出两种最普通光刻胶显影方法和关键的显影参数陈述显影后要进展坚膜的原因解释显影后检查的好处列出并描绘4种不同的先进光刻技术及面临的挑战7/12/20242

提纲7/12/20243

通过显影液将可溶解的光刻胶溶解掉就是光刻胶显影，显影除去了由曝光造成的可溶解的光刻胶。光刻胶显影的目的是在光刻胶中获得准确的掩膜幅员案的复制，同时保证光刻胶粘附性可承受。光刻胶显影和检查是进入下一步刻蚀或离子注入之前的图形转移工艺的中间步骤。光刻胶图形的质量决定了随后工艺的成功与否。光刻胶的显影步骤依赖于它是正胶或负胶，是常规I线胶(DNQ线性酚醛数值)或化学放大深紫外线光刻胶(CADUV)。亚微米光刻通常使用正胶，非关键层一般用常规I线胶，关键层通常用深紫外线光刻胶。7/12/20244

曝光后的硅片从曝光系统转移到硅片轨道系统后，需要进展短时间的曝光后烘培〔PEB〕。为了促进关键光刻胶的化学反响，对CADUV光刻胶进展后烘是必需的。对于基于DNQ化学成分的常规I线胶，进展后烘的目的是进步光刻胶的粘附性并减少驻波。7/12/20245

DUV曝光后烘培后烘的温度均匀性和持续时间是影响DUV光刻胶质量的重要因素。后烘时，硅片被放在自动轨道系统的一个热板上，处理的温度和时间需要根据光刻胶的类型确定。典型的