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离子注入IonImplantation离子注入1离子注入系统2离子注入应用3文献部分4

离子注入离子注入是除掺杂外另一种对半导体进行掺杂的方法。基本过程为：1将某种元素的原子或携带该元素的分子经离化变成带电的离子。2在强电场中加速，获得较高的动能后，射入材料表层（靶）实现掺杂。目的是改变材料表层的物理或化学性质。

离子注入1掺入的杂质主要有两类：第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质（如Si中的B、P、As）；第二类是产生复合中心的重金属杂质（如Si中的Au）。

离子束1优点：1.杂质纯度高且在真空环境中进行，污染降至最低；2.晶片的掺杂完全处于受控状态，并精确控制掺入基片内杂质的浓度分布和注入深度；适宜于高浓度、浅结掺杂或者低浓度、具有特殊浓度分布的掺杂(特别是突变型分布)；3.杂质浓度不受固溶度的限制；灵活多样，适应性强。4.低温工艺(硅靶为室温或低于400℃)，可避免高温扩散引起的热缺陷。5.可实现选择性掺杂，掩蔽膜的选择范围更宽(氮化硅、光刻胶、铝膜、金膜等)；也可通过SiO2膜实现覆盖注入，并保护硅片表面。6.由于注入离子的直射性，杂质的横向扩散较小。缺点：1.离子注入需要注入机，设备昂贵。2.高能离子注入会引入晶格损伤，甚至非晶化，需通过退火来消除。3.有不安全因素，如高压、有毒气体。离子注入的特点（与热扩散相比）

离子束1离子注入的特点（与热