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半导体制造技术导论（第二版）
第八章离子注入工艺
白雪飞
中国科学技术大学电子科学与技术系
提纲
•简介
•离子注入技术简介
•离子注入技术硬件设备
•离子注入工艺过程
•安全性
•离子注入技术发展趋势
2
简介
集成电路制造工艺流程
集成电路制造工艺流程
4
离子注入技术发展史
•掺杂工艺
–半导体材料的导电率可以通过掺杂物控制
–掺杂工艺：扩散、离子注入
•扩散工艺
–1970年代中期之前，一般应用高温炉中的扩散技术进行掺杂
–重掺杂N型源极/漏极问题
–栅光刻版和源极/漏极对准问题
•离子注入
–源极/漏极自对准工艺
–形成重掺杂N型源极/漏极
–多晶硅和多晶硅—硅化物栅极
5
扩散工艺
扩散工艺示意图
6
栅极和源极/漏极对准工艺
栅极和源极/漏极对准工艺
(a)正常对准；(b)对准失误
7
源极/漏极自对准工艺
源极/漏极自对准工艺
8
离子注入技术的优点
离子注入与扩散工艺比较
扩散离子注入
高温，硬遮蔽层低温，光刻胶作为遮蔽层
等向性掺杂轮廓非等向性掺杂轮廓
不能独立控制掺杂浓度和结深可以独立控制掺杂浓度和结深
批量工艺批量及单晶圆工艺
9
离子注入和扩散掺杂过程
离子注入和扩散掺杂过程的比较
10
离子注入技术的应用
应用离子
掺杂N型：P,As,Sb；P型：B
预非晶化Si,Ge
埋氧层O
多晶硅阻挡层N
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