MOS器件物理基础.pptVIP

假定漏极电压0，由于沟道电势从源极的0V变化到漏极的VD，所以栅与沟道间的局部电压差从VG变化到VG-VD。MOS器件物理基础本篇文章主要通过对横向增强型NMOS的原理讲解来熟悉NMOS的导通状态。通过NMOS的学习，了解各种MOS（如JFET，VMOSFET，UMOSFET，DMOSFET）的工作原理。对MOS管的各种工作参数做了一个简单的讲解。MOSFETMOSFET是英文MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor的缩写，即:金属―氧化物―半导体场效应晶体管。MOSFET有耗尽型与增强型两种，每一种又分为n/p沟道两种。耗尽型在正常情况下沟道是开启的，增强型的沟道通常是关闭的，只有当栅极电压增加时，漏―源之间的沟道才能打开，漏―源电流也就随之增加。当不加栅极电压时，也就没有电流通过MOSFET的结构Ldrawn：沟道总长度LD：横向扩散长度Leff：沟道有效长度，Leff＝Ldrawn－2LD以一横向NMOS为例nmos符号MOS管正常工作的基本条件MOS管正常工作的基本条件是:所有衬源（B、S）、衬漏（B、D）pn结必须反偏！寄生二极管NMOS器件的阈值电压VTH(a)栅压控制的MOSFET(b)耗尽区的形成(c)反型的开始(d)反型层的形成NMOS管导通过程示意图记过驱动电压Von＝VGS－VT。Von是一个重要的设计参数。MOS管正常工作原理栅源电压uGS的控制作用当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。当UGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。再增加UGS→纵向电场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。N沟道增强型MOS管的基本特性：uGS＜UT，管子截止，uGS＞UT，管子导通。uGS越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。问题：为什么加入电压VGS时，源漏之间二极管没有导通电流流过？？NMOS管VGSVT、0VDSVGS-VT时的示意图沟道未夹断条件问题：1.反型层为什么会出现斜坡？？2.沟道被夹断时，漏源极之间还会导电吗？？NMOS沟道电势示意图(0VDSVGS-VT)边界条件:V(x)|x=0=0,V(x)|x=L=VDS0Qd：沟道电荷密度Cox：单位面积栅电容沟道单位长度电荷(C/m)WCox：MOSFET单位长度的总电容Qd(x)：沿沟道点x处的电荷密度V(x)：沟道x点处的电势I/V特性的推导（1）电荷移动速度(m/s)V(x)|x=0=0,V(x)|x=L=VDSI/V特性的推导（2）对于半导体：且I/V特性的推导（3）三极管区(线性区)每条曲线在VDS＝VGS－VTH＝Von时取最大值，且大小为：VDS＝VGS－VTH＝Von时沟道刚好被夹断NMOS管的电流公式截至区，VgsVTH线性区,VgsVTHVDSVgs-VTH饱和区,VgsVTHVDSVgs-VTH三极管区的MOSFET（0VDSVGS－VT）等效为一个压控电阻MOSFET的I/V特性TriodeRegionVDSVGS-VT沟道电阻随VDS增加而增加导致曲线弯曲曲线开始斜率正比于VGS-VTVDSVGS-VT用作恒流源条件：工作在饱和区且VGS＝常数纵向沟道MOS管结构上面一节，我们了解了横向沟道结构的mos管，与其原理上一样的，发展起来了纵向结构mos管，接下来我们将为你介绍其结构和工作原理。与漏极，栅极和源极引出端在硅片的同一表面上的横向结构相比，纵向沟道MOS管的漏极与源极制作在硅片相对的两面上。这种结构设计适合于功率器件，因为源极能够利用更大的空间。由于源―漏之间长度减小，解决了漏―源电流增加的难题;同时采用了外延层(漏极漂移区)沟槽也极大地提高了阻断电压。纵向结构mos经过这些年的发展，主要产生了VMOSFET，DMOSFET，UMOSDET等结构。VMOSFET结构，这种结构如图(a)所示。栅极采用V型沟槽设计是第一种可以用于商业化生产的产品。由于制造工艺的难度和V形槽“尖端”电场过于集中的问题，VMOSFET很快被DMOSFET替代。DMOSFET结构如图(b)所示。这种结构是用“双