2023-半导体行业：AI算力系列之光通信用光芯片-受益流量增长和全球份额提升.pptxVIP

AI算力系列之光通信用光芯片：受益流量增长和全球份额提升;

光芯片重要性凸显及未来成长性：磷化铟光芯片及组件是光模块中最大的成本项，其性能直接决定光模块的传输速率，是光通信产业链的核心之一。根据Yole预测，磷化铟器件预计到2026年下游应用规模将达到约52亿美元，20-26年复合增长率为16%。

国产化率低、成长空间广阔：国内厂商在2.5G及以下、10G光芯片上具有一定优势，但25G光芯片的国产化率约20%，25G以上光芯片的国产化率仍较低约5%。

生产工艺是核心壁垒：光芯片的制造成本中制造费用占比最高，良率决定各家能力。生产流程中，量子阱、光栅、光波导、镀膜等环节成为竞争关键。

涉及上市公司：源杰科技（与电子团队联合覆盖）、仕佳光子、光迅科技、长光华芯、光库科技。

风险提示：人才及技术更新风险；下游需求不达预期风险；竞争导致毛利率下降风险；潜在竞争的风险；全球化、国产替代不及预期；报告中引用22年业绩快报仅为上市公司初步核算数据，请以公司最终公告为准。;

目录

1.光通信用光芯片的分类及下游

2.磷化铟光芯片市场规模及竞争格局

3.光芯片成本分析以及技术壁垒

4.涉及上市公司;

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光通信用光芯片的分类及下游;

半导体材料包括三大类：

1、单元素半导体材料，即以单一元素构成的半导体材料，主要包括硅（Si）、锗（Ge），其中硅基半导体材料是目前产量最大、成本最低、应用最广的半导体材料；

2、III-V族化合物半导体材料，即以III-V族元素的化合物构成的半导体材料，主要包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），具有电子迁移率高、光电性能好等特点，是当前仅次于硅之外最成熟的半导体材料，在5G通信、数据中心、光纤通信、新一代显示、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备、航天方面有广阔的应用前景；

3、宽禁带半导体，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表，具有高禁带宽度、耐高压和大功率等特点，在通信、新能源汽车等领域前景广阔，但目前成本较高。;

光芯片按功能可以分为激光器芯片和探测器芯片，其中激光器芯片主要用于发射信号，将电信号转化为光信号，探测器芯片主要用于接收信号，将光信号转化为电信号。

激光器芯片按出光结构可进一步分为面发射芯片和边发射芯片，面发射芯片包括VCSEL芯片，边发射EEL芯片包括FP、DFB和EML芯片；探测器芯片，主要有PIN和APD两类。

激光器芯片按照材料体系划分，可以分为砷化镓GaAs和磷化铟Inp两套材料体系。;

按导电性能，InP衬底主要分为半导电和半绝缘衬底

半导体衬底分为N型和P型半导电衬底：1）N型掺SnInP主要用于激光二极管。2）N型掺S的InP不仅用于激光二极管，而且还用于光探测器。3）P型掺ZnInP主要用于高功率激光二极管。

半绝缘衬底按照是否掺杂分为掺杂半绝缘衬底和非掺杂半绝缘衬底，半绝缘衬底主要用于制作射频器件。;

光通信是以光信号为信息载体，以光纤作为传输介质，通过电光转换，以光信号进行传输信息的系统。光通信系统传输信号过程中，发射端通过激光器芯片进行电光转换，将电信号转换为光信号，经过光纤传输至接收端，接收端通过探测器芯片进行光电转换，将光信号转换为电信号。

光芯片加工封装为光发射组件（TOSA）及光接收组件（ROSA），再将光收发组件、电芯片、结构件等进一步加工成光模块。光芯片的性能直接决定光模块的传输速率，是光通信产业链的核心之一。;

根据中际旭创披露的2016年1-8月光模块成本构成，芯片成本占60-70%（光芯片及组件占50%，比重最大；电芯片成本占15%），人工和其他成本占23%；

光模块中的芯片包含：光芯片（激光器芯片和探测器芯片）、电芯片（LD驱动芯片、TIA跨阻放大芯片、CDR时钟和数据电路、DSP、MUXDeMUX等）。;

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磷化铟光芯片市场规模及竞争格局;

根据Yole预测，磷化铟器件应用领域正从传统的数据通信和电信市场向C端消费市场扩展，预计到2026年下游应用规模将达到约52亿美元，2020-2026年年均复合增长率为16%。

数据通讯和电信仍然将是磷化铟最大应用领域，骨干网全光化和数据中心内的400G/800G光模块等对磷化铟激光器件带来持续需求，而消费电子领域应用增速更快，如3D传感、可穿戴设备、无开孔屏幕传感等。;