物理气相沉积.pptxVIP

;物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)技术通常指满意下面三个步骤的一类薄膜生长技术：A.所生长的材料以物理的方式由固体转化为气体；B.生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底；C.蒸汽在衬底表面上凝聚，形成薄膜。

物理气相沉积的主要方法有，蒸发沉积（蒸镀）、溅射沉积（溅射）和离子镀等。

发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。沉积膜层厚度一般为为10-1nm~mm。;一、真空蒸发镀膜（蒸镀）;蒸镀分馏问题;蒸发源类型;（2）电子束加热蒸发源;（1）蒸镀合金膜——会产生分馏，

解决对策——连续加料，调节熔池成分，同时注意使熔池温度和体积保持恒定。

（2）蒸镀难熔化合物膜——多数会分解例如：A12O3，

解决对策——适当通氧

（3）反应镀膜;分子束外延;分子束外延的特点

（1）生长速率极慢，大约1um/小时，相当于每秒生长一个单原子层，因此有利于实现精确控制，是一种原子级的加工技术。

（2）外延生长的温度低，因此降低了界面上热膨胀引入的晶格失配效应和衬底杂质对外延层的自掺杂扩散影响。

（3）由于生长是在超高真空中进行的，外延过程中可避免沾污，因而能生长出质量极好的外延层。

（4）MBE是一个动力学过程，即将入射的中性粒子（原子或分子）一个一个地堆积在衬底上进行生长，而不是一个热力学过程，所以它可以生长按照普通热平衡生长方法难以生长的薄膜。

（5）MBE是一个超高真空的物理沉积过程，既不需要考虑中间化学反应，又不受质量传输的影响，并且利用快门可以对生长和中断进行瞬时控制。因此，膜的组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。;二、溅射镀膜;1.概述

（1）溅射现象（1842，Grove提出）

当高能粒子（通常是由电场加速的正离子）冲击固体表面时，固体表面的原子、分子与这些高能粒子交换能量，从而由固体表面飞溅出来的现象。

溅射镀膜:1870年，工业应用：1930年以后。

（2）区别：

蒸镀：让材料加热气化（发射出粒子），再沉积到基片上成膜；

溅射：用离子轰击，将靶材原子打出来，再沉积到基片上成膜。;溅射镀膜特点;溅射的基本原理：

溅射镀膜基于荷能离子轰击靶材时的溅射效应，整个溅射过程都是建立在辉光放电的基础之上，即溅射离子都来源于气体放电，不同的溅射技术采用的辉光放电方式有所不同。例如:

直流二极溅射利用的是直流辉光放电；

三极溅射是利用热阴极支持的辉光放电；

射频溅射是利用射频辉光放电；

磁控溅射是利用环状磁场控制下的辉光放电。;设备——真空二极管；

阴极——被溅射的材料；

阳极——基片；

10Pa一1Pa；数百伏的电压。

机制：

放电产生的等离子体中的正离子经阴极暗区的电场加速而飞向阴极靶，不仅能打出靶面原子（溅射材料），而且还会轰击出二次电子，二次电子在飞向阳极的过程中，又与其它气体分子碰撞使之电离，使辉光放电持续不断的进行下去。;3.溅射机理的两种假说;4.二级溅射;5.磁控溅射;6.离子束溅射

——通过采用单独的离子源产生用于轰击靶材的离子;三、离子镀;空心阴极离子镀（HCD,Moley,1972提出,1979产品）;多弧离子镀;双离子束镀;