第三代半导体SIC-MOSFET-碳化硅MOS管产品应用介绍-国产替换：罗姆-ROHM-科锐-CERR.pptxVIP

深圳爱仕特科技有限公司简介公司专注于第三代半导体碳化硅（SiC）MOS芯片设计、功率模块生产及其在新能源领域的应用系统开发，包括新一代移动大功率充电机、车载双向OBC、新能源汽车电机控制器及动力总成系统，是高速成长的高科技技术创新型企业。2017年12月18日公司注册成立2018年1月25日完成天使轮融资2018年4月15日与比利时某公司就采用SiCMOS的高温驱动板联合开发2018年5月12日1200V/400ASiCMOS模块样品出厂并完成内部测试2018年8月20日BMS专用固态继电器技术方案定型开模2018年9月9日1200V/60A量产片测试报告完成，平均良率提高10%，达到80%2018年9月15日一拖二基于SiCMOS的电机控制器样机台架测试成功2018年12月16日70KWSiC电控台架测试成功2019年3月12日120KWSiC电控台架测试成功2019年3月20日获得欧洲某客户SiC单管订单，芯片产品开始出口欧洲2019年4月16日获得美国某车厂客户SiC电控订单，120KWSiC电控测试通过

产业布局武汉：新能源汽车第三代半导体应用示范中心。上饶：新能源汽车动力总成生产线年产能：5万套（根据市场需求可扩产至20万套）。一期投资总额1.5亿，满产每年实现产值12亿元。目标用户：上饶汉腾等六家新能源整车企业，江西江铃、安徽江淮、奇瑞等。上海：电控生产基地，与兄弟企业共建。海宁：4/6英寸兼容碳化硅器件生产线。年产能：5万片（一期为2000片）。主要产品：600V、900V、1200V系列SiCMOS芯片、二极管等流片代工。项目总投资：4~4.5亿。目标客户：新能源汽车、工业变频器、光伏、电力传输等用户。惠州：研发总部深圳坪山：模块工厂深圳龙岗：电源工厂交朋友，扫一扫

AST碳化硅MOSFET器件VdsRdsonIds@25°CTO247-3LTO247-4LTO268-7LBareChip650V20mohm100AASC100N650MBPlanningASC100N650MBASC100N650MB50mohm50AASC50N650MBPlanningASC50N650MBASC50N650MB100mohm30AASC30N650MBPlanningASC30N650MBASC30N650MB200mohm15AASC15N650MBPlanningASC15N650MBASC15N650MB900V30mohm60AASC60N900MBPlanningASC60N900MBASC60N900MB60mohm30AASC30N900MBPlanningASC30N900MBASC30N900MB100mohm20AASC20N900MBPlanningASC20N900MBASC20N900MB1200V40mohm60AASC60N1200MBPlanningASC60N1200MBASC60N1200MB80mohm30AASC30N1200MBPlanningASC30N1200MBASC30N1200MBSiCMOSFET产品系列：主要应用：高频/高压/高功率电源新能源车充电：EVCharging高压逆变应用：DC/DCConverters功率因素校正电源：PFC电机驱动：MotorDrives产品特性：塑封品结温175°C，最高芯片结温高达300°C优良品质因子FOM，适合高频应用高电压应用下具有低导通损耗导通特性正温度特性，易并联驱动优良的电场和电流分布设计AEC-Q101测试推测寿命大于100年

SiCMOS功率模块SiCMOS模块产品兼容市场通用的多款模块外型，包括HP1、HPDrive，DWC-3等，同时可为用户进行订制开发。采用全SiCMOS芯片，发热量低，对系统散热需求小；无并联续流二极管，减少封装体积；内置温度传感器，易于监控芯片工作状态；PIN-PIN直接水冷设计，热阻降低30%以上；AlN基板与AlSiC底板组合，满足高可靠性要求。ModelTypePackageVoltageRonImaxTemperatureRangeASC300N1200MH1HP11200V6.7mohm300A-40~150°CASC600N1200MH1HP11200V3.3mohm600A-40~150°CASC300N1200MD3DWC31200V6.7mohm300A-40~150°CASC600N1200MD3DWC31200V3.3mohm600A-40~150°CSiC模块参数列表：DWC3模块图工艺技术焊接:采用进口一流高真空回流焊设备,一次焊接空洞率1%;键合:超声波键合技术，减少对芯片的表面损