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HDP主要工艺参数详解

WER湿法腐蚀速率

湿法腐蚀速率是评价膜质致密性最重要的指标之一。温度对WER的影响很大，见下图：

图1-1HDPchamberPressurecontroller

随着温度的升高，WER是降低的。

2、深宽比与淀积刻蚀比对void的影响

图2-1深宽比和淀积刻蚀比对填孔性能的影响

深宽比越大，需要的淀积刻蚀比越小，也就是刻蚀速率要提升。

3、淀积刻蚀比

光片刻蚀速率是在同样的压力下，在氧化膜光片上进行刻蚀，这个条件跟淀积一样，只是没有硅烷。

4、温度

温度是对应力，WER影响的关键因素，是RI的次要因素；在低压环境中温度是很难从wafer传导到ESC的，因此要引入HE冷却，确保温度在350-400之间。

太低的温度会导致oxide中存在过多的H和OH键，这会导致膜质charging。

但如果温度超过450度，会导致AL层的合金。

5、应力

6、均匀性

假设He的压力、溅射刻蚀的均匀性都是最优状态；

SideSiH4就是粗调，决定淀积速率；

TopSiH4就是精调，

7、Processwindow工艺窗口

8、Waferprocesssteps工艺步骤

（1）Processposition2s到工艺位2s

Waferonchuck,Gasflowinitiatedwiththrottlevalveclosedtodecreaseoverheadtimefornextstep.Gasflowoptimizedsothatchamberpressurewillnotovershoot.;

(2)Pressurize3.5s压力稳定3.5s

??Introducestrikechemistry:Argononly.

??Pressurerisesto50mTorr(controlledstrikepressure).

?Needminimumpressureforcapacitivelycoupledignition.

Ifpressuretoolowortoohigh,thenplasma“flickering”mayoccurasthe

frequencytuningspanstofindthematchingregime.Thiscouldleadtodevice

damageonthewafer.

Failuretoachieveminimumpressurewithin10sec.willresultinrecipefault

(preventhighreflectedpowerduringstrikestep).

(3)Stabilize(5.0sec).稳定5s

(4).Strike(PlasmaIgnition)1s启辉1s

??SetTopCoilRFPowerto1000Wforignition.

??SRFLimits:

??Toolow–inabilitytostrikeplasma(lowstrikingvoltage).

??Toohigh–hardwarereliabilityissue(highstrikingvoltageonantenna).

(5)、OpenThrottle1s打开蝶阀

??Opensthrottlevalvetoanintermediatepositiontoreducechamberpressure

slowly.ChangingpressuretooabruptlycouldcauselossofchamberRF

matching.

??SidecoilRFpowerturnedoninthisstep(2000Wsetpoint).

(6)、OxygenOn/Chuck_On1s

??Turnsonoxygenflowtoanintermediatevaluetopreventgasbursting.

??Throttlevalveopenedtocompensateforincreaseingasflow.

??ESCChuckingvoltageturnedON(Positivechuckingvoltageiscurrently

preferred