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硅基薄膜电池、有机太阳能电池的优缺点及应用前景

摘要:新能源和可再生能源是21世纪世界经济发展中最具决定性影响的技术

领域之一。本文就硅基材料和有机材料为基础,浅析其优缺点和应用前景。

关键词:硅基薄膜电池，有机太阳能电池，光电转换率，应用前景

引言:由于人类对可再生能源的不断需求，促使人们致力于开发新型能源。太

阳在40min内照射到地球表面的能量可供全球目前消费的速度使用1年，合理的利

用太阳能将是人类解决能源问题的长期发展策略。本文介绍了其中两种太阳

能电池的优势和不足之处，简单的介绍它们的前景。

硅基薄膜太阳能电池

硅太阳电池的应用日趋广泛,但昂贵的原材料成为发展的瓶颈.薄膜太阳电池

由于只需使用一层极薄的光电材料，材料使用非常少。并可使用软性衬底，应用弹

性大，如果技术发展成熟，其市场面将相当宽阔。

一、非晶硅太阳电池

非晶硅太阳电池应用优势具体如下:

(1)材料和制造工艺成本低。(2)易于大规模生产。(3)具备弱光发电的性能，

该性能使得非晶硅薄膜电池受风沙、雨雪等天气的影响很小，发电时间延长。(4)

非晶硅电池工作中不受环境的影响，而晶体硅电池如果其中一小部分被遮挡，会产

生孤岛效应，这将极大的降低整个组件的功率输出。(6)具有透光性，而且组件能

更好的融合于建筑，在光伏建筑一体化(BIPV)上具有很大的优势。

非晶硅太阳电池主要缺点有两个:

一是它的不稳定性，即光电转换效率会随着光照时间的延续而衰减，另外光电

转换效率也比较低，一般在,,到,,,之间。改进方法主要是要降低其衰减程度。非

晶硅及其合金的光暗电导率随光照时间加长而减小，经170~200?温度2h，又可恢

复原状，这种现象称为S-W效应。非晶硅太阳电池光衰退的主要因素是I层的S-W

效应。因此要提高非硅太阳电池的稳定效率，首先要获得高稳定性的I层的a-

Si:H材料。方法如下:采用分室沉积技术和高真空反应室消除杂质污染;在制备方

法方面分别采用了电子回旋共振化学气相沉积(ECR一CVD)、氢根化学气相沉积(HR

一CVD)、热丝(HW)法沉积和三极管系统;在制备工艺方面采用了H等离子体化学退

火法、H2稀释法、He稀释法和掺氟法。采用这些制备技术和制备工艺的主要目的

都是为了减少非晶硅膜中的H含量和缺陷态密度，使其形成稳定的Si-Si键和Si-

H键网络结构。比如，用常规PECVD技术制备的a-Si:H膜中含有约10%的H，而用

化学退火法制备的a-Si:H膜的含H量小于9%，用热丝法制备的a-Si:H膜的含H

量只有1%~2%。

另外与微晶硅结合生成非晶硅,微晶硅异质结太阳电池也是目前非晶硅薄膜电

池研究的主要方向，这种电池不仅继承了非晶硅电池的优点，而且可以延缓非晶硅

电池的效率随光照衰减的速度。

二、多晶硅(poly-Si)薄膜太阳电池

多晶硅薄膜由许多大小不等，具有不同晶面取向的小晶粒构成。其晶粒尺寸一

般约在几十至几百纳米级，大颗粒尺寸可达微米级。多晶硅薄膜太阳电池保持了晶

体硅太阳电池的稳定性，大幅度降低了硅料的用量，还可以生长在廉价的衬底材料

上，明显地降低了电池成本。多晶硅薄膜电池的研究重点有两方面，一是电池衬

底的选择，二是制备方法。

多晶硅薄膜电池具有效率高、性能稳定及成本低的优点，是降低太阳能电池成

本的最有效的方法。

目前尚存在如下问题:?多晶硅薄膜低温沉积，质量差，薄膜晶粒尺寸小，电池

效率低。?多晶硅薄膜高温沉积，能耗高，尚缺少适于生长优质多晶硅薄膜的廉价

而优良的衬底材料。今后应着重研发如下问题:?大面积、大晶粒薄膜的生长技术;?

进一步提高薄膜的生长速率;?薄膜缺陷的控制技术;?优质、价廉衬底材料的研发;?

电池优良设计、表面结构技术及背反射技术等的研究。

三、硅基薄膜太阳电池的应用前景

随着科技发展以及环境压力的日益增加，新能源在能源结构中的比例会越来越

大。在光伏应用中，硅基薄膜太阳电池有许多特殊的优点，比如:?硅基薄膜电池可

在任何形状的衬底上制作，可直接做成建筑需要的各种形状的太阳电池，可极大地

节省安装空间，减少系统成本。特别是柔性衬底的硅基薄膜电池，轻而柔软，容易

安装，在建筑集成市场中具有很大的竞争力。?可以做成