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4H-SiC外延层中堆垛层错与衬底缺陷的关联性争论
郭钰;彭同华;刘春俊;杨占伟;蔡振立
【摘要】本争论探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片外表堆垛层错(SF)的形貌特征和起因.依据外表缺陷检测设备KLA-TencorCS920的光致发光(PL)通道和形貌通道的特点,将SF分为五类.其中I类SF在PL通道图中显示为梯形,在形貌图中不显示;II类SF在PL通道图中显示为三角形,且与I类SF重合,在形貌图中显示为胡萝卜形貌.III-V类SF在PL通道图中均显示为三角形,在形貌图中分别显示为胡萝卜、无对应图像或三角形.争论结果说明,I类S
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