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机电工程系半导体三极管的分析及应用陕西铁路工程职业技术学院主讲人:梁骅旗
半导体三极管的分析及应用项目五认识半导体三极管半导体三极管的工作状态半导体三极管的主要参数三极管的实际应用
认识半导体三极管项目五半导体三极管,一般称为三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。1.1三极管结构及分类
1、认识半导体三极管项目五结构NPN型发射区集电区基区发射结集电结e【Emitter】c【Collector】b发射极集电极基极NNP【Base】电路符号:箭头方向:由P区→N区通过三极管正向电流的方向1.1三极管结构及分类三区三极两结
项目四结构PNP型发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极PPN电路符号:箭头方向:由P区→N区通过三极管正向电流的方向【Emitter】【Collector】【Base】1.1三极管结构及分类1、认识半导体三极管
项目四分类(1)按半导体结构分:NPN型和PNP型。(2)按功率分:小功率管和大功率管。(3)按工作频率分:低频管和高频管。(4)按管芯所用半导体材料分:锗管和硅管。(5)按结构工艺分:合金管和平面管。(6)按用途分:放大管和开关管。1.1三极管结构及分类1、认识半导体三极管
项目四1.2三极管放大作用内部载流子运动1)发射区向基区注入多子电子,形成发射极电流IE。ICN多数向集电结方向扩散形成ICN。IE少数与空穴复合,形成IBN。IBN基区空穴来源基极电源提供(IB)集电区少子漂移(ICBO)ICBOIBIBN?IB+ICBO即:IB=IBN–ICBO3)集电区收集载流子ICIC=ICN+ICBO2)载流子在基区中扩散与复合1、认识半导体三极管
项目四1.2三极管放大作用实验探究1.电路连接三极管电流分配实验电路如图所示。VccVBB1、认识半导体三极管
项目四1.2三极管的放大作用2、实验数据表1-1三极管三个电极上的电流分配IB/mA00.010.020.030.040.05IC/mA0.010.561.141.742.332.91IE/mA0.010.571.161.772.372.96结论:IE=IB+IC三极管的电流分配规律:发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。共射电流放大倍数β的值远大于1,通常在20~200范围内,只与管子的结构有关,与外加电压无关。1、认识半导体三极管
项目四1.3总结NNPebc三极管内部结构要求:1.发射区高掺杂。2.基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米,而且掺杂较少。三极管放大的外部条件:外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态,而集电结处于反向偏置状态。3.集电结面积大。1、认识半导体三极管
项目四1.3总结(1)三极管的电流放大作用,实质上是用较小的基极电流信号控制集电极的大电流信号,是“以小控大”的作用。由此可见,基极电流的微小变化控制了集电极电流较大的变化,这就是三极管的电流放大原理。结论:要使三极管起放大作用,必须保证发射结加正向偏置电压,集电结加反向偏置电压。(2)三极管的放大作用,需要一定的外部条件。注意:1、认识半导体三极管
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