BGA封装工艺简介1.pptxVIP

2024/7/15BGA封装工艺(gōngyì)简介1第一页，共54页。

BGAPackageStructureTOP/BottomVIEWSIDEVIEW第二页，共54页。

TypicalAssemblyProcessFlowFOL/前段EOL/中段(zhōnɡduàn)Reflow/回流(huíliú)EOL/后段FinalTest/测试(cèshì)第三页，共54页。

FOL–FrontofLine前段工艺(gōngyì)BackGrinding磨片Wafer晶圆WaferMount晶圆装置(zhuāngzhì)WaferSaw晶圆切割(qiēgē)WaferWash晶圆清洗DieAttach芯片粘接EpoxyCure银浆固化WireBond引线焊接Optical检验Optical检验EOL第四页，共54页。

FOL–FrontofLineWafer【Wafer】晶圆……第五页，共54页。

FOL–BackGrinding反面(fǎnmiàn)减薄Taping粘膜(zhānmó)BackGrinding磨片De-Taping去胶带(jiāodài)将从晶圆厂出来的Wafer停止反面研磨，来减薄晶圆到达

封装需求的厚度〔5mils~10mils〕；磨片时，需求在正面〔ActiveArea〕贴胶带维护电路区域

同时研磨反面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；第六页，共54页。

FOL–WaferSaw晶圆切割(qiēgē)WaferMount晶圆装置(zhuāngzhì)WaferSaw晶圆切割(qiēgē)WaferWash清洗目的：将晶圆粘贴在蓝膜〔Tape〕上，使得即使被切割开后，不会散落；经过SawBlade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便前面的DieAttach等工序；WaferWash主要清洗Saw时分发生的各种粉尘，清洁Wafer；第七页，共54页。

FOL–BackGrinding反面(fǎnmiàn)减薄FRAMETAPEWAFER第八页，共54页。

FOL–WaferSaw晶圆切割(qiēgē)WaferSawMachineSawBlade(切割(qiēgē)刀片)：LifeTime：900~1500M；

SpindlierSpeed：30~50Krpm：FeedSpeed：30~50/s;第九页，共54页。

FOL–OpticalInspection主要是针对WaferSaw之后在显微镜下停止Wafer的外观反省，能否有出现(chūxiàn)不良产品。ChippingDie

崩边第十页，共54页。

FOL–DieAttach芯片(xīnpiàn)粘接WriteEpoxyDieAttachEpoxyCureEpoxyStorage：

零下(línɡxià)50度寄存；EpoxyAging：

运用之前回温，除去(chúqù)气泡；EpoxyWriting：

点银浆于L/F的Pad上，Pattern可选；第十一页，共54页。

FOL–DieAttach芯片(xīnpiàn)粘接芯片拾取进程：

1、EjectorPin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于

脱离蓝膜；

2、Collect/Pickuphead从上方吸起芯片，完成(wánchéng)从Wafer

到L/F的运输进程；

3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F

的Pad上，详细位置可控；

4、BondHeadResolution：

X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um；

5、BondHeadSpeed：1.3m/s；第十二页，共54页。

FOL–DieAttach芯片(xīnpiàn)粘接EpoxyWrite：

Coverage75%;DieAttach：

Placement0.05mm;第十三页，共54页。

DieBond(DieAttach)上片BONDHEADSUBSTRATEEPOXYEPOXYCURE(DIEBONDCURE)FOL–DieAttach芯片(xīnpiàn)粘接第十四页，共54页。

FOL–EpoxyCure银浆固化，检验(jiǎnyàn)银浆固化：175°C，1个小时；

N2环境，防止(fángzhǐ)氧化：DieShear〔芯片(xīnpiàn)剪切力〕第十五页，共54页。

FOL–WireBonding引线(yǐnxiàn)焊接应用高纯度的金线〔