(高清版)B-T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分：退化机理.pdfVIP

ICS31.020

CCSL40

中华人民共和国国家标准

GB/T42706.2—2023/IEC62435-2:2017

电子元器件半导体器件长期贮存

第2部分：退化机理

Electroniccomponents—Long-termstorageofelectronicsemiconductordevices—

Part2:Deteriorationmechanisms

(IEC62435-2:2017,IDT)

2023-05-23发布2023-09-01实施

国家市场监督管理总局

国家标准化管理委员会发布

GB/T42706.2—2023/IEC62435-2:2017

目次

前言Ⅲ

引言IV

1范围1

2规范性引用文件1

3术语、定义和缩略语1

3.1术语和定义1

3.2缩略语1

4退化类型2

4.1概述2

4.2引线镀层的可焊性和氧化2

4.3“爆米花”效应2

4.4分层2

4.5腐蚀和变色2

4.6静电影响2

4.7高能电离辐射损伤2

4.8贮存温度对半导体器件的风险3

4.9贵金属镀层3

4.10雾锡和其他镀层3

4.11焊料球和焊料凸点3

4.12含可编程闪存、可编程逻辑单元的器件和其他含非易失性存储单元的器件3

5元器件的技术验证3

5.1目的3

5.2试验选择准则3

5.3测量和试验4

5.4定期评价5

附录A(规范性)封装和未封装有源元器件的失效机理7

参考文献9

I

GB/T42706.2—2023/IEC62435-2:2017

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件是GB/T42706《电子元器件半导体器件长期贮存》的第2部分。GB/T42706已经发布

了以下部分：

——第1部分：总则；

——第2部分：退化机理；

——第5部分：芯片和晶圆。

本文件等同采用IEC62435-2:2017《电子元器件半导体器件长期贮存第2部分：退化机理》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动：

a)删除了4.8中资料性引用的JEDECJEP122;

b)表A.1中，为避免最后一列的字母“T”与第四列中的相同字