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DRIE深反应离子刻蚀技术-课件.ppt

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    DRIE深反应离子刻蚀技术;内容;等离子产生;DC等离子体(辉光放电);辉光放电暗区;什么是“干法”刻蚀?;腐蚀速率;气相干法腐蚀;大家应该也有点累了，稍作休息;RF等离子干法刻蚀;干法刻蚀工艺的类型;干法刻蚀工艺的类型;干法腐蚀:气体混合;基于F气体和等离子体的

    SiSiO2的干法刻蚀;干法刻蚀的各向异性;干法刻蚀的各向异性;不挥发残留物的淀积;尽管CF4只腐蚀Si,当更多的Si表面暴露时,更多的F被消耗掉，导致F/C减小，腐蚀减慢

    加入H2消耗F–易导致polymerization

    加入O2消耗C–导致腐蚀;时间复用深腐蚀;DRIE扇形过刻;高选择比;DRIE掩膜材料

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