宽禁带半导体材料新进展课件.pptVIP

宽禁带半导体材料与器件应用新进展SiC-AlN-GaN材料与器件新进展报告者：杨勇

主要内容?几种主要半导体材料的物理属性?宽禁带半导体材料新进展?GaN-AlN-(4H)SiC新型光触发功率半导体器件?未来展望

几种主要半导体材料的物理属性（300K）

宽禁带半导体材料新进展4H-SiC晶圆和外延材料的质量已经相当高，美国Cree公司能够提供商业化生产的100毫米零微管碳化硅基底，并且已经展示了高品质150毫米碳化硅基底。

宽禁带半导体材料新进展氮化铝(AlN)材料体单晶制备方法：物理气相传输法(PVT)发展动态：l美国CrystalIS公司、俄罗斯N-Crystals公司在该领域处于领先地位,可以制备出直径为2inch(5.08cm)的体单晶l2011年德国埃朗根一纽伦堡大学已利用AIN籽晶生长出直径为25mm、厚度为15mm的AIN体单晶l美国北卡罗莱纳州立大学于2010年获得了直径为15mm高度为]5mm的无裂纹AIN晶圆．并于2011年利用AIN衬底外延生长了高质量的AlN、AlGaN薄膜l阻碍因素：籽晶的选取（AlN、SiC、AlN/SiC）

GaN材料新进展阻碍GaN材料发展的因素l没有合适的单晶衬底材料l位错密度太大l无法实现p型轻掺杂氮化镓器件的衬底选择l晶格失配率小的材料硅、碳化硅和蓝宝石（其中碳化硅与氮化镓匹配得更好一些,二者的晶格失配仅有3.3%,而蓝宝石和氮化镓的晶格失配高达14.8%，此外,碳化硅的热导率比氮化镓高,对改善大功率器件的温度特性也大有好处）因此，目前，选用SiC作为衬底生长GaN是许多研究者关注的一个方面。

GaN–AlN–(4H)SiC新型光触发功率半导体器件基本结构图

GaN–AlN–(4H)SiC新型光触发功率半导体器件

GaN-AlN-SiC组态的稳定性1Ha=27.2eV

GaN–AlN–(4H)SiC新型光触发功率半导体器件工作原理（发射极零偏压、集电极正偏压）基区注入光脉冲时，载流子在能带之间跃迁，并导致电子空穴倍增，当基区中的光生电子向集电区移动时，空穴就会复合掉一小部分从发射极注入的电子，大多数未被复合的电子就到达集电极随着光脉冲的断开，基区中载流子快速复合，PSD便处于关态，同时，异质pn结将承受很大的发射极、集电极电压。

GaN–AlN–(4H)SiC新型光触发功率半导体器件?电学特性

未来展望随着宽禁带半导体材料工艺技术的不断进步、成熟，新结构的功率半导体器件的应用越来越广泛。而GaN-AlN-4H-SiCOTPSD较好的开关特性、增益以及阻断特性表明由于GaN较短的载流子寿命和很好的光吸收效率（而这对高频率功率电子器件十分关键）和光吸收能力（这对减少激光成本非常重要）以及碳化硅很高的热导率，以SiC作为衬底的GaN外延材料必将在未来的功率半导体器件、高频、高压功率器件、以及光电领域中广泛应用。

谢谢大家！