T_CNS 82-2022 宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法.docxVIP

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团体标准

T/CNS82—2022

宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法

Testmethodfortotalionizingdoseeffectofstaticrandom-accessmemoryinspaceapplication

2022-12-16发布2023-04-01实施

中国核学会发布

Ⅰ

目次

前言 Ⅲ

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4设备及一般要求 2

5程序 2

6试验报告 5

附录A（资料性）SRAM功能测试图形操作指令 6

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Ⅲ

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国核学会提出。

本文件由核工业标准化研究所归口。

本文件起草单位：中国科学院新疆理化技术研究所，中国科学院微小卫星创新研究院，中国航天科技集团有限公司第五研究院宇航物资保障事业部。

本文件主要起草人：郑齐文、崔江维、余学峰、郭旗、李豫东、王信、张丹、陆妩、何承发、崔帅、李鹏伟。

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1

宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法

1范围

本文件规定了宇航用静态随机存储器（StaticRandom-AccessMemory,SRAM）总剂量(totalionizingdose,TID)效应试验方法。

本文件适用于评估宇航用SRAM的抗总剂量效应能力，抗辐射加固SRAM试验验证，SRAM总剂量效应研究。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T15447—2008X、γ射线和电子束辐照不同材料吸收剂量的换算方法JJF1743—2019放射治疗用电离室剂量计水吸收剂量校准规范

ASTMF996-11基于电离辐射导致阈值电压漂移利用亚阈值特性分离由电离辐射引入的氧化物陷阱空穴和界面态的标准方法（StandardTestMethodforSeparatinganIonizingRadiation-InducedMOSFETThresholdVoltageShiftIntoComponentsDuetoOxideTrappedHolesandInterfaceStatesUsingtheSubthresholdCurrent-VoltageCharacteristics）

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

电离辐射总剂量效应totalionizingdoseeffect

电离辐射在半导体器件氧化物中产生缺陷电荷，缺陷电荷累积使器件电参数变化，甚至功能失效。

3.2

时间相关效应timedependenteffect

时间相关效应是指辐照诱生陷阱电荷的生长和（或）退火导致晶体管或集成电路出现明显的参数退化，而辐照诱生陷阱电荷的生长和（或）退火过程与时间直接相关。

3.3

加速退火试验acceleratedannealingtest利用提高温度加快时间相关效应的过程。

3.4

氧化物陷阱电荷oxidetrappedcharge

电离辐射在绝缘介质产生空穴被氧空位俘获，形成带正电的氧化物陷阱电荷。

3.5

界面陷阱电荷interfacetraps

电离辐射在绝缘介质产生空穴，空穴在绝缘介质中输运释放氢离子，氢离子与界面的硅氢键相互作用产生界面陷阱电荷。

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2

3.6

最恶劣偏置条件worstcasecondition

在辐照过程中，对被测器件各端口施加的偏置电压条件，该偏置电压条件使器件辐照后表现出最明显的参数退化。

3.7

移位测试remotetests

将器件从辐照位置移开后对器件进行电参数测试。

3.8

测试图形testpattern

施加于器件的一系列写读操作指令。

4设备及一般要求

4,1辐射源

辐射源应为可提供均匀辐射场的60Coγ射线源。辐射源在被辐射器件区域的辐射场的相对不