- 1、本文档共9页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
1-
“价格战”开打?-我国碳化硅衬底行业产能或将过剩-市场将迈入8英寸时代
1、碳化硅衬底概述
SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)构成的化合物半导体材料。SiC的优点不仅在于其绝缘击穿场强(BreakdownField)是Si的10倍,带隙(EnergyGap)是Si的3倍,而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的P型、N型控制,所以被认为是一种超越Si极限的用于制造功率器件的材料。
衬底是指沿特定的结晶方向将晶体切割、研磨、抛光,得到具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性,用于生长外延层的洁净单晶圆薄片。碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料,以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点,具有开关速度快、效率高的优势,可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底两类,这两类衬底经外延生长后分明用于制造功率器件、射频器件等分立器件。
碳化硅衬底的种类
2、碳化硅衬底行业产能扩大,“价格战”开打?
近年来,中国碳化硅衬底行业产能扩大。数据显示,2023年全球折合6英寸导电型SiC衬底产能将达到2100Kpcs,同比增长96%,预计2026年将增加至5690Kpcs,2023-2026年CAGR达39%;2023年,我国碳化硅衬底的折合6英寸销量已超过100万片,许多厂商的产能爬坡速度超过预期,产能占全球产能的42%,预计2026年我国6英寸碳化硅衬底产能将占全球产能的50%左右。
近年来,中国碳化硅衬底行业产能扩大。数据显示,2023年全球折合6英寸导电型SiC衬底产能将达到2100Kpcs,同比增长96%,预计2026年将增加至5690Kpcs,2023-2026年CAGR达39%;2023年,我国碳化硅衬底的折合6英寸销量已超过100万片,许多厂商的产能爬坡速度超过预期,产能占全球产能的42%,预计2026年我国6英寸碳化硅衬底产能将占全球产能的50%左右。
这也进一步反映出市场对碳化硅衬底行业强烈需求。不过,由于害怕晶圆厂商或者下游电动汽车终端用户的订单无法充分消化产能,我国碳化硅衬底市场价格逐渐下降。
根据相关资料可知,之前国内6英寸碳化硅衬底通常比国际供应商的报价低5%左右,但是近期价格差异已经扩大至30%。因此,有供应链从业者担心,由于国内在碳化硅长晶、衬底等领域的厂商众多,如果有人率先掀起降价模式,恐怕将会迫使越来越多厂商跟进,进而引发碳化硅衬底的价格战。
碳化硅器件成本主要集中在衬底和外延,根据数据,两者占成本比例合计70%。其中,衬底制造技术壁垒最高,成本占比高达47%,是最核心环节。
碳化硅器件成本主要集中在衬底和外延,根据数据,两者占成本比例合计70%。其中,衬底制造技术壁垒最高,成本占比高达47%,是最核心环节。
当前,碳化硅从生产到应用的全流程历时较长。以碳化硅功率器件为例,从单晶生长到形成衬底需要耗时1个月,从外延生长到晶圆前后段加工完成需要耗时6-12个月,从器件制造再到上车验证更是需要1-2年时间,对于碳化硅功率器件IDM厂商而言,从工业设计、应用等环节转化为收入增长的周期非常漫长,汽车行业一般需要4-5年之久。
对于碳化硅未来,有业内人士表示,汽车是碳化硅最主要的应用市场之一,当主机厂降本压力与日俱增,碳化硅器件厂商也难逃控本的命运。同时,碳化硅器件上游的衬底与外延等产业链各环节也将面临技术革新和“价格战”的挑战。
此外,电动汽车作为SiC功率器件核心应用下游,市场占比逐年提升。有相关资料可知,车用SiC功率器件占总市场比例将由2021年的63%增加至2027年的79%,其次为工业和新能源领域,占比分别为9%和7%。而随着全球电动汽车市场需求的疲软,碳化硅需求有所缩减,供应厂商们为抢夺订单,不断降低价格。由此可见,产能持续扩大及下游需求疲软双重因素影响下,碳化硅衬底行业价格战打响。
此外,电动汽车作为SiC功率器件核心应用下游,市场占比逐年提升。有相关资料可知,车用SiC功率器件占总市场比例将由2021年的63%增加至2027年的79%,其次为工业和新能源领域,占比分别为9%和7%。而随着全球电动汽车市场需求的疲软,碳化硅需求有所缩减,供应厂商们为抢夺订单,不断降低价格。由此可见,产能持续扩大及下游需求疲软双重因素影响下,碳化硅衬底行业价格战打响。
3、碳化硅衬底产能有可能过剩,企业该如何破局
近年来,国内外的Wolfspeed、英飞凌、意法半导体,还是罗姆、安森美等厂商以各种方式,拼命扩大产能,并积极寻求更多长期合作伙伴,建立更为完全的产业链。根据相关资料可知,目前,全球已有27家企业实现8英寸SiC单晶生长的研发突破,其中包括17家中国企业。据不完全统计,国际厂商去年一
您可能关注的文档
- VASP磁性计算总结篇.doc
- XX-XX第一学期团委工作总结.doc
- XX大学学生会中秋节活动方案策划.doc
- “东数西算”建设雏形完成-数据要素化促进算力服务行业需求释放.doc
- “以竹代塑”风口逐渐形成-我国竹材行业产值规模持续扩大.doc
- “减糖”风潮下-我国麦芽糖醇市场快速成长-行业产能相对集中.doc
- “包装结构设计”实验报告格式.doc
- “十四五”时期内蒙古自治区体育产业发展主要指标.doc
- “十四五”时期内蒙古自治区商贸流通领域节能发展主要指标.doc
- “十四五”时期内蒙古自治区湿地和野生动植物保护工程发展主要指标.doc
- 运动风格趋势:轻量化户外 2025 S S.pdf
- 数字乡村建设村村通广播应用方案.pdf
- 高盛-日本市场策略 Japan Strategy Flash 1Q325 earnings summary Double-digit (%) profit growth as results largely surprised upwards 0820 2024.pdf
- CEEM《全球智库半月谈》(总第286期).pdf
- 智慧物流概论微课课件第4章智慧物流信息平台.pdf
- 数字乡村公共安全综合平台项目解决方案.pdf
- 智慧物流概论微课课件第7章智慧物流包装.pdf
- 【案例】”啤酒之王“的智慧物流探索之路.pdf
- 数字连江城市数字基座(一期)和数字乡村示范点建设项目.pdf
- 智慧物流概论微课课件第1章智慧物流概述.pdf
文档评论(0)