电子行业深度报告：先进封装助力产业升级，材料端多品类受益.docx

目 录

1、互连工艺升级是先进封装的关键，材料升级是互连工艺升级的基础 5

、凸块（Bumping）：多种先进封装形式的基础工艺 5

、重布线层（RDL）：芯片电气延伸与互连的桥梁 8

、硅通孔（TSV）：立体集成工艺的核心关键 9

、混合键合：缩小Bumppitch间距，扩大互连带宽 12

2、先进封装带动半导体材料新需求，多品类有望受益 14

、PSPI光刻胶 14

、深孔刻蚀类电子特气 18

、电镀液 21

、靶材 24

、CMP材料临时键合胶 28

、抛光垫 30

、抛光液 33

、临时键合胶 35

、环氧塑封料硅/铝微粉 37

、环氧塑封料 37

、硅微粉/铝微粉 40

3、国内先进封装产业链受益标的 45

4、风险提示 46

图表目录

图1：各类型先进封装主要包含bumping、RDL、TSV及键合等互连工艺 5

图2：凸块（bumping）工艺流程主要分为8个步骤 7

图3：Bump尺寸与间距随着技术提高，逐步缩小 8

图4：重布线层（RDL）将I/O重新分配到芯片边缘 8

图5：重布线层（RDL）关键工序流程主要由十个步骤组成 9

图6：FANIN和FANOUT型RDL工艺 9

图7：RDL在台积电InFO_OS技术中为核心关键 9

图8：TSV（硅通孔）工艺将多层平面进行堆叠互连 10

图9：TSV中介转接层加工工艺主要由12个工艺流程组成 11

图10：低深宽比TSV图像传感器封装工艺主要包含十个工艺流程 11

图11：TSV制造成本结构（Via-Middle方案）中临时键合/解键合占比最高，为17% 12

图12：TSV制造成本构成（Via-Last方案）中铜电镀占比最高，为18% 12

图13：混合键合显著提升键合技术性能 12

图14：HybridBoding工艺比传统焊接工艺步骤减少 13

图15：HybridBonding工艺在3D封装中的应用 13

图16：混合键合工艺中Wafer-to-wafer工艺流程 14

图17：混合键合工艺中Die-to-wafer工艺流程 14

图18：PSPI组合体系复杂 15

图19：传统光刻胶方法和光敏聚酰亚胺方法光刻图案制作过程 16

图20：PSPI是封装阶段RDL过程中的关键材料 16

图21：中国集成电路晶圆制造用PSPI市场规模增长较快（亿元，%） 17

图22：全球四家主要生产厂商占据PSPI市场93%的份额(%) 17

图23：刻蚀为电子特气主要应用环节 18

图24：干法刻蚀所用气体即为刻蚀气体 18

图25：蚀刻气体SF6、C4F8等为TSV工艺关键原材料 19

图26：全球刻蚀气体市场规模预计将在2029年突破14亿美元 20

图27：外资企业约占据全球刻蚀气体市场大头（2022年） 20

图28：电镀液是前道铜互连电镀工艺核心原材料 21

图29：电镀液广泛应用于芯片制造后道先进封装电镀 21

图30：芯片铜互连工艺成为主流技术 22

图31：晶圆凸块（Bumping）镀铜工艺拉动电镀液需求 22

图32：电镀液广泛应用于晶圆硅通孔（TSV）镀铜工艺 22

图33：全球高纯电镀液销售额稳步增长（亿美元，%） 23

图34：2029年中国高纯电镀液销售额预计3.52亿美元 23

图35：我国电镀液及配套试剂需求保持稳定增长（万吨） 23

图36：2022年全球铜电镀液产品占比最高（%） 23

图37：2022年全球半导体用高纯电镀液需求旺盛（%） 23

图38：全球电镀市场依旧被国外企业所占据（%） 24

图39：溅射靶材主要由靶坯、背板等部分构成 25

图40：溅射靶材应用以平面显示领域、半导体集成电路、太阳能电池领域为主 26

图41：半导体集成电路用溅射靶材主要用于芯片封装与晶圆制造 26

图42：全球半导体靶材市场规模增速回升（亿美元） 27

图43：中国半导体靶材市场规模稳步增长（亿元） 27

图44：全球靶材竞争格局以美日企业为主导（2021年） 27

图45：国内竞争格局内资与外资五五开（2018年） 27

图46：CMP抛光模块示意图 28

图47：CMP抛光作业原理图 28

图48：CMP抛光速率对比 28

图49：CMP平坦化效果图 28

图50：CMP技术应用